logo
Главная страница ПродукцияОбломок интегральной схемаы

IQFH86N06NM5 MOSFET с интегральным микросхемом с 60V напряжением источника оттока 394A непрерывный ток оттока и сопротивление источника оттока 1,47 мОм

Сертификация
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Просмотрения клиента
Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

IQFH86N06NM5 MOSFET с интегральным микросхемом с 60V напряжением источника оттока 394A непрерывный ток оттока и сопротивление источника оттока 1,47 мОм

IQFH86N06NM5 MOSFET с интегральным микросхемом с 60V напряжением источника оттока 394A непрерывный ток оттока и сопротивление источника оттока 1,47 мОм
IQFH86N06NM5 MOSFET с интегральным микросхемом с 60V напряжением источника оттока 394A непрерывный ток оттока и сопротивление источника оттока 1,47 мОм

Большие изображения :  IQFH86N06NM5 MOSFET с интегральным микросхемом с 60V напряжением источника оттока 394A непрерывный ток оттока и сопротивление источника оттока 1,47 мОм

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: Original Factory
Сертификация: Lead free / RoHS Compliant
Номер модели: IQFH86N06NM5
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10
Цена: Contact for Sample
Упаковывая детали: ТСОН-12
Время доставки: 5-8 рабочих дней
Условия оплаты: Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

IQFH86N06NM5 MOSFET с интегральным микросхемом с 60V напряжением источника оттока 394A непрерывный ток оттока и сопротивление источника оттока 1,47 мОм

Описание
Номер детали: IQFH86N06NM5 Vds – напряжение пробоя сток-исток:: 60 В
Id — непрерывный ток стока:: 394 А Rds On – сопротивление сток-исток:: 1,47 мОм
Vgs — напряжение затвор-исток:: - 20 В, 20 В Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток:: 2,8 v
Выделить:

Силовой МОП-транзистор с напряжением сток-исток 60 В

,

394A Мощный МОП-транзистор с постоянным током стока

,

Интегральная микросхема с сопротивлением сток-исток 1

IQFH86N06NM5 Чип интегральной схемы высокопроизводительные OptiMOSTM 5 N-канальные мощные MOSFET транзисторы
IQFH86N06NM5 60V MOSFET с нормальным уровнем мощности имеет инновационный компактный пакет PQFN 8x6 мм2 на основе клипсов, предназначенный для применения высокого тока и мощности.Этот компонент обеспечивает сверхнизкий RDS ((on) 0.68 мΩ в сочетании с исключительными тепловыми характеристиками, обеспечивающими превосходную эффективность системы и плотность питания для применений на батареях, систем управления батареями, низковольтных приводов и SMPS.
Технические спецификации
Параметр Стоимость
Тип FET N-канал
Технологии MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss) 60 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C 43A (Ta), 394A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) 6В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.86 мОм @ 100А, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id 3.3V @ 176μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs 206 nC @ 10 В
Vgs (макс.) ± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds 12900 pF @ 30 В
Рассеивание энергии (макс.) 3 Вт (Ta), 250 Вт (Tc)
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Ключевые особенности
  • Передовая технология кремния OptiMOSTM
  • Выдающиеся ФОМ (цифры заслуг)
  • Высокое соотношение чип/пакет
  • Оптимизированный дизайн свинцового каркаса и ку-клипа
  • Внутренне подключенные Q1/Q2 MOSFET
  • Компактный и упрощенный дизайн макетов
  • Способность двойного охлаждения
Преимущества производительности
  • Минимизация потерь проводимости
  • Высокая мощность
  • Высокая производительность устройства
  • Сниженное превышение напряжения
  • Высокая тепловая производительность
  • Плата для повторного использования для нескольких уровней мощности
  • Высокая производительность переключения/EMI
Целевые приложения
  • Решения для легких электромобилей
  • Решения для электровелосипедов
  • Мультикоптеры и беспилотные летательные аппараты
  • Электроинструменты
  • Роботика
  • Системы управления аккумуляторами (BMS)
Связанные электронные компоненты
Номер части Пакет
TSV774IYPT 14-TSSOP
TSL6001ILT SOT-23-5
TSU111RILT SOT-23-5
LAN8670C1-E/LMX 32-VFQFN
LAN8672C1-E/LNX VQFN-36
LAN8671C1-E/U3B VQFN-24
LAN9360C-I/CQB-101 TFBGA-100
LAN9662-I/9MX LFBGA-256
KSZ8765CLXIC LQFP-80
LAN7430-I/Y9X VFQFN-48
KSZ9563RNXI QFN-64
LAN9662/9MX LFBGA-256
KSZ9893RNXC VQFN-64
KSZ9897RTXC TQFP-128
KSZ8567RTXI TQFP-128
ISL81806FRTZ TQFN-32
ISL81805FRTZ TQFN-32
ISL81801FRTZ TQFN-32
ISL62776IRTZ TQFN-40
RAA228228ГНП QFN-68
RAA2231814GSP 13-SOIC
ISL81601FRZ QFN-32
R9A06G032NGBG LFBGA-400
R9A06G032VGBA LFBGA-324
R7S910007CBA FBGA-320
R7S910026CBA FBGA-320
R7S910027CBA FBGA-320
R7S910025CBA FBGA-320
R7S910036CBA FBGA-320
R7S910028CBA FBGA-320
Часто задаваемые вопросы
Ваши изделия оригинальные?
Да, все продукты оригинальные, новые оригинальные импорт - это наша цель.
Какие у вас сертификаты?
Мы сертифицированная компания ISO 9001:2015 и член ERAI.
Вы можете поддержать небольшое количество заказов или образцы? Образец бесплатный?
Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.
Как отправить мой заказ?
Мы используем экспресс-перевозчиков, таких как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукты будут в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.
А как насчет времени?
Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.

Общий рейтинг

5.0
Основано на 50 отзывах об этом поставщике

Оценка

Ниже представлено распределение всех рейтингов:
5 звезды
100%
4 звезды
0%
3 звезды
0%
2 звезды
0%
1 звезды
0%

Все отзывы

H
Hieu
Switzerland Mar 11.2026
*"Original LB11988V. Good quality, fast delivery. Highly recommend this seller for ONSEMI parts."*
しょうた
Japan Oct 23.2025
It is a great shopping experience,the sales are very professional and very enthusiasm,fast delivery,good quality ,i will buy them next time!
A
Asdfasdf
France Oct 16.2025
Chips are new and original. BGA balls are intact, no defects. Professional packaging for protection. Highly recommend this seller."
Контактная информация
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты