Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

IQFH68N06NM5 Чип интегральной схемы MOSFET с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 460 А и сверхнизким RDS ((on) 0,68 мΩ

Name: IQFH68N06NM5 Чип интегральной схемы MOSFET с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 460 А и сверхнизким RDS ((on) 0,68 мΩ
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IQFH68N06NM5
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(21274)

BT IC
(558)

Автомобильные модули IGBT
(2226)

Микроконтроллер MCU
(14929)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1304)

Вентильная матрица поля Programmable
(7008)

ИС Ethernet
(1075)

Коннекторы
(3512)

Микросхема памяти
(2616)

Датчик IC
(2515)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3749)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(9624)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

IQFH68N06NM5 Чип интегральной схемы MOSFET с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 460 А и сверхнизким RDS ((on) 0,68 мΩ

Большие изображения : IQFH68N06NM5 Чип интегральной схемы MOSFET с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 460 А и сверхнизким RDS ((on) 0,68 мΩ

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	IQFH68N06NM5

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	ТСОН-12
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

контакт

IQFH68N06NM5 Чип интегральной схемы MOSFET с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 460 А и сверхнизким RDS ((on) 0,68 мΩ

Описание

Номер детали:	IQFH68N06NM5	Vds – напряжение пробоя сток-исток::	60 В
Id — непрерывный ток стока::	460 a	Rds On – сопротивление сток-исток::	1,12 Ом
Vgs — напряжение затвор-исток::	- 20 В, 20 В	Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток::	2,8 v
Выделить:	Силовой МОП-транзистор с напряжением сток-исток 60 В , Интегральная микросхема с постоянным током стока 460А , Ультранизкий RDS(вкл.) 0

IQFH68N06NM5 Чип интегральной схемы высокопроизводительный OptiMOSTM 5 60V Мощный MOSFET транзисторы

IQFH68N06NM5 60V MOSFET с нормальной мощностью поставляется в нашем новейшем инновационном, компактном комплекте PQFN 8x6 mm2 на основе клипа, позволяющем очень высокий уровень тока и мощности.68 мΩ в сочетании с превосходными тепловыми характеристикамиЭто позволяет повысить эффективность системы и плотность питания для широкого спектра конечных приложений, таких как батарейные приложения, управление батареями, низковольтные приводы и SMPS.

Технические спецификации

Напряжение отхода к источнику (Vdss)	60 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C	48A (Ta), 460A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено)	6В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs	00,68 мОм @ 100 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.3В @ 217μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs	252 nC @ 10 В
Vgs (макс.)	± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds	15900 pF @ 30 В
Рассеивание энергии (макс.)	3 Вт (Ta), 273 Вт (Tc)
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Ключевые особенности

Передовая технология кремния OptiMOSTM
Высокое соотношение чип/пакет
Ультравысокие токи в компактном отпечатке
Паразиты с очень низкой упаковкой
Оптимизированный дизайн свинцового каркаса и ку-клипа
Совместимость отпечатков с PQFN 5x6
Компактная компоновка с меньшим количеством параллелей

Преимущества производительности

Минимизация потерь проводимости
Высокая мощность
Высокая производительность устройства
Сниженное превышение напряжения
Высокая тепловая производительность
Плата для повторного использования для нескольких уровней мощности
Высокая производительность переключения/EMI

Целевые приложения

Решения для легких электромобилей
Решения для электровелосипедов
Мультикоптеры и беспилотные летательные аппараты
Электроинструменты
Роботика
Системы управления аккумуляторами (BMS)

Сопутствующие электронные компоненты на складе

Номер части	Пакет
R7S910007CBA	FBGA-320
R7S910026CBA	FBGA-320
R7S910027CBA	FBGA-320
R7S910025CBA	FBGA-320
R7S910036CBA	FBGA-320
R7S910028CBA	FBGA-320
R7S910015CBA	FBGA-320
R7S910016CBA	FBGA-320
R7S910018CBA	FBGA-320
R7S910017CBA	FBGA-320
MCP47CVB02-E/UN	10-MSOP
MCP47CMB22-E/UN	10-MSOP
MCP47CMB12-E/UN	10-MSOP
MCP47CVB21-E/MF	10-DFN
MCP47CVB28-20E/ST	20-TSSOP
MCP48CVB18-20E/ST	20-TSSOP
MCP47CVB11-E/MG	16-QFN
MCP47CVB01-E/MG	16-QFN
MCP47CVB12-E/MG	16-QFN
MCP47CMB21-E/MF	10-DFN
MCP48FEB24-20E/ST	20-TSSOP
MCP48CVB22-E/MG	16-QFN
MCP48CVB02-E/MG	16-QFN
MCP47FEB14-E/MQ	20-VQFN
MCP47CVB24T-20E/ST	20-TSSOP
MCP48CVB08T-E/ML	20-QFN
MCP47CMD22T-E/MF	10-DFN
MCP47CMD01-E/MG	16-QFN
MCP47CVD11-E/MF	10-DFN
MCP48CMD12-E/MF	10-DFN

Часто задаваемые вопросы

Ваши изделия оригинальные?

Да, все продукты оригинальные, новые оригинальные импорт - это наша цель.

Какие у вас сертификаты?

Мы сертифицированная компания ISO 9001:2015 и член ERAI.

Вы можете поддержать небольшое количество заказов или образцы? Образец бесплатный?

Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.

Как отправить мой заказ?

Мы используем экспресс для доставки, такие как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукты будут в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.

А как насчет времени?

Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

IQFH68N06NM5 Чип интегральной схемы MOSFET с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 460 А и сверхнизким RDS ((on) 0,68 мΩ

IQFH68N06NM5 Чип интегральной схемы MOSFET с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 460 А и сверхнизким RDS ((on) 0,68 мΩ

IQFH68N06NM5 Чип интегральной схемы MOSFET с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 460 А и сверхнизким RDS ((on) 0,68 мΩ

Силовой МОП-транзистор с напряжением сток-исток 60 В

Интегральная микросхема с постоянным током стока 460А

Ультранизкий RDS(вкл.) 0

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,