TRF0108RPVT/EM Радиационно-толерантный дифференциально-однокончательный Усилитель частот ближнего тока до 12 ГГц с приростом 17,1 дБ

TRF0108RPVT/EM — это высокопроизводительный дифференциально-несимметричный (D2S) усилитель, оптимизированный для радиочастотных (РЧ) приложений. Устройство является отличным выбором для приложений, требующих преобразования D2S при использовании цифро-аналогового преобразователя (ЦАП), такого как высокопроизводительный DAC39RF10-SEP или AFE7950-SEP.

Встроенные в кристалл согласующие компоненты упрощают установку печатной платы (PCB) и обеспечивают высочайшую производительность в пределах используемой полосы пропускания. Устройство изготовлено с использованием усовершенствованного дополнительного процесса BiCMOS компании Texas Instruments и доступно в компактном корпусе WQFN-FCRLF размером 2 мм x 2 мм.

• Частота: 0 Гц ~ 12 ГГц
• P1дБ: 11,4 дБм
• Усиление: 17,1 дБ
• Уровень шума: 12,3 дБ
• Тип РФ: Радар
• Напряжение питания: 4,75 В ~ 5,25 В
• Ток питания: 170 мА
• Тестовая частота: 2 ГГц

• Номер чертежа позиции поставщика: VID V62/26604.
• Устойчивость к радиации с общей ионизирующей дозой (TID) до 30 крад (Si)
• Обеспечение радиационной стойкости (RHA) до 30крад (Si) TID
• Процесс без улучшенной чувствительности к низкой мощности дозы (ELDRS)
• Защелкивание единичного события (SEL) с иммунитетом к ЛПЭ 43 МэВ-см²/мг
• Конструкция из космического пластика (Space EP, SEP).
• Бессвинцовый дизайн
• Расширенный температурный диапазон: от -55°C до +125°C.
• Дифференциальный несимметричный (D2S) ВЧ-усилитель
• Работа от постоянного тока до 12 ГГц
• Усиление: 15,2 дБ на частоте 2 ГГц
• OP1дБ: 11,4 дБм (2 ГГц), 9,4 дБм (6 ГГц)
• OIP3: 27 дБм (2 ГГц), 28,5 дБм (6 ГГц)
• НФ: 10,9 дБ (2 ГГц), 12,1 дБ (6 ГГц)
• Функция отключения питания
• Питание 5 В с активным током: 170 мА

• Непосредственное взаимодействие с RF-DAC
• Аэрокосмические и оборонные системы
• Радар с фазированной решеткой
• Полезная нагрузка связи
• Полезная нагрузка радиолокационной визуализации