|
Подробная информация о продукте:
|
| Номер детали: | ИДЛ10G65C5 | Технология: | SiC (кремниевый карбид) Schottky |
|---|---|---|---|
| Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.): | 650 В. | Ток – средний выпрямленный (Io): | 10А |
| Ток – обратная утечка @ Vr: | 180 μA @ 650 В | Емкость @ Вр, Ф: | 300pF @ 1V, 1MHz |
IDL10G65C5 - это диод Schottky CoolSiCTM (карбид кремния) мощностью 650 В и 2 А в комплекте DPAK real2pin,который достигает значительного улучшения производительности благодаря сочетанию технологии тонких пластин и собственного процесса диффузионного связывания.
| Категория продукции | Диоды SiC Schottky |
|---|---|
| Стил монтажа | SMD/SMT |
| Пакет / чемодан | VSON-4 |
| Конфигурация | Одинокий |
| Если - Прямой ток | 10 А |
| Vrrm - повторяющееся обратное напряжение | 650 В |
| Vf - Напряжение вперед | 1.8 В |
| Ifsm - Прямой приливный ток | 50 А |
| Вращающий ток | 2 uA |
| Минимальная рабочая температура | -55°С |
| Максимальная рабочая температура | +150°С |
| Pd - рассеивание энергии | 113 Вт |
| Номер части | Пакет |
|---|---|
| CSDM65295TVCQ | QFN-FCMOD-72 |
| TPSM828511RDYR | QFN-FCMOD-9 |
| TPSM828512RDYR | QFN-FCMOD-9 |
| TPSM8287A12BASRDVR | B0QFN-39 |
| TPSM8287A12BBSRDVR | B0QFN-39 |
| TPSM828303APVCBR | QFN-FCMOD-10 |
| TPSM828303ARDSR | QFN-FCMOD-9 |
| TLVM23615RDNR | QFN-FCMOD-11 |
| TPSM560R6HRDAR | B3QFN-15 |
| TPSM831D31MOA | QFM-28 |
| TPSM82823SILR | USIP-10 |
| LMZM33602RLRR | B3QFN-18 |
| LMZM33603RLRR | B3QFN-18 |
| TPSM84424MOLR | QFM-24 |
| TPSM84824MOLR | QFM-24 |
| NXH100B120H3Q0STG | Модуль |
| NXH500B100H7Q2F2SHG | Модуль |
| BCM6719A0KEFBG | BGA |
| BCM4918A0KFBEG | FCBGA |
| BCM67142A0KEFBG | BGA |
| BCM67192A0KEFBG | BGA |
| BCM6772A0KFEBG | BGA |
| BCM6774A0KFEBG | FCBGA |
| BCM6776A0KFEBG | FCBGA |
| BCM68850 | BGA |
| STGD25N36LZAG | TO-252-3 |
| IIS3DWB10IS | LGA-16 |
| CYT6BJ8DDBQ0AEEGS | TQFP-176 |
| CYT6BJ8DDBQ0AESGS | TQFP-176 |
| CYT6BJBDHBQ0BZEGS | PG-LFBGA-272 |
Контактное лицо: Sales Manager
Телефон: 86-13410018555
Факс: 86-0755-83957753