H5AN8G6NDJR-XNC Memory IC Chip 8Gb DDR4 SDRAM с скоростью передачи данных 3200 Мбит/с в пакете FBGA-96

H5AN8G6NDJR-XNC — это 8-гигабитная синхронная DRAM CMOS Double Data Rate IV (DDR4), идеально подходящая для основных приложений памяти, требующих большой плотности памяти и высокой пропускной способности.

• VDD=VDDQ=1.2V +/- 0.06V
• Полностью дифференциальные входы тактового сигнала (CK, CK)
• Дифференциальный строб данных (DQS, DQS)
• Встроенный DLL выравнивает переходы DQ, DQS и DQS с переходами CK
• DM маскирует запись данных при обоих фронтах строба данных (восходящем и нисходящем)
• Поддерживается программируемая CAS-задержка 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 и 20
• Поддерживается программируемая аддитивная задержка 0, CL-1 и CL-2 (только x4/x8)
• Программируемая CAS Write Latency (CWL) = 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18
• Программируемая длина пакета 4/8 в режимах nibble sequential и interleave
• Переключение BL на лету
• 16 банков
• Средний цикл обновления (Tcase от 0°C до 95°C)
• Стандартный JEDEC 78-шариковый FBGA (x4/x8), 78-шариковый FBGA (x16)
• Сила драйвера выбирается MRS
• Поддерживается динамическое согласование на кристалле (On Die Termination)
• Два состояния согласования RTT_PARK и RTT_NOM, переключаемые пином ODT
• Поддерживается асинхронный пин RESET
• Поддерживается калибровка ZQ
• Поддерживается TDQS (Termination Data Strobe) (только x8)
• Поддерживается выравнивание записи
• 8-битный предвыбор
• Соответствует RoHS
• Доступна внутренняя генерация уровня Vref DQ
• Поддерживается запись CRC для всех скоростных диапазонов
• Поддерживается режим максимального энергосбережения
• Поддерживается режим TCAR (автоматическое обновление с контролем температуры)
• Поддерживается режим LP ASR (автоматическое самообновление с низким энергопотреблением)
• Поддерживается тонкогранулированное обновление
• Поддерживается адресация на уровне DRAM
• Поддерживается режим Geardown (1/2 скорости, 1/4 скорости)
• Программируемый преамбула для чтения и записи
• Поддерживается отмена самообновления
• Поддерживается режим CA parity (Command/Address Parity)
• Применяется группировка банков с CAS-to-CAS latency для доступа к одному/разным группам банков
• Поддерживается DBI (Data Bus Inversion) (x8)

Персональные вычислительные устройства: Модули памяти (SO-DIMM) для высокопроизводительных ноутбуков и мини-ПК (NUC); Встроенная память для моноблоков и настольных ПК начального уровня

Серверы и центры обработки данных: Сборки модулей памяти (RDIMM/UDIMM) для серверов корпоративного класса; Периферийные узлы в массивах хранения данных центров обработки данных; Пулы памяти для инфраструктуры облачных вычислений

Промышленные и встраиваемые системы: Системная память для оборудования промышленного контроля и автоматизации; Буферизация пакетов для сетевого коммуникационного оборудования (маршрутизаторы, коммутаторы); Основная память для медицинского оборудования и контрольно-измерительных приборов

Потребительская электроника: Устройства, требующие высокой пропускной способности памяти, такие как высокопроизводительные смарт-телевизоры, цифровые приставки и игровые консоли