logo
Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияАвтомобильные модули IGBT

Модуль IGBT для автомобилей F3L11MR12W2M1 1200 В с технологией контактов PressFIT и встроенным датчиком температуры NTC

Все продукты

Обломок интегральной схемаы

(28757)

BT IC

(577)

Автомобильные модули IGBT

(2395)

Микроконтроллер MCU

(16981)

GaN IC

(321)

Чип процессора ИИ

(1353)

Вентильная матрица поля Programmable

(7070)

ИС Ethernet

(1207)

Коннекторы

(3703)

Микросхема памяти

(2916)

Датчик IC

(3215)

IoT-чип

(267)

5G-модуль

(160)

Обломок WIFI

(201)

Обломок Iphone IC

(54)

Беспроводной модуль связи

(3882)

Термостат регулятора температуры

(11)

Врезанные решения

(10093)
Самые лучшие продукты
Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Сертификация
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Просмотрения клиента
Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

Модуль IGBT для автомобилей F3L11MR12W2M1 1200 В с технологией контактов PressFIT и встроенным датчиком температуры NTC

Модуль IGBT для автомобилей F3L11MR12W2M1 1200 В с технологией контактов PressFIT и встроенным датчиком температуры NTC
Модуль IGBT для автомобилей F3L11MR12W2M1 1200 В с технологией контактов PressFIT и встроенным датчиком температуры NTC

Большие изображения :  Модуль IGBT для автомобилей F3L11MR12W2M1 1200 В с технологией контактов PressFIT и встроенным датчиком температуры NTC

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: Original Factory
Сертификация: Lead free / RoHS Compliant
Номер модели: F3L11MR12W2M1
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10
Цена: Contact for Sample
Упаковывая детали: Модуль
Время доставки: 5-8 рабочих дней
Условия оплаты: Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион
контакт

Модуль IGBT для автомобилей F3L11MR12W2M1 1200 В с технологией контактов PressFIT и встроенным датчиком температуры NTC

Описание
Номер детали: F3L11MR12W2M1 Ряд: EasyPACK™
Напряжение стока к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 65а
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs: 223 нК при 18 В Рабочая температура: -40 ° C ~ 175 ° C (TJ)

Модули IGBT для автомобильной промышленности F3L11MR12W2M1 1200V EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET 3-уровневый модуль
Описание продукта

F3L11MR12W2M1 — это 3-уровневый модуль EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET в топологии ANPC 1200 В, 11 мОм G1 с NTC и технологией контактов PressFIT.

Спецификации
Категория продукта: Модули MOSFET
Технология: SiC
Стиль монтажа: Press Fit
Корпус / Корпус: Модуль
Полярность транзистора: N-канальный
Vds - Напряжение пробоя сток-исток: 1,2 кВ
Id - Постоянный ток стока: 100 А
Rds On - Сопротивление сток-исток: 11,3 мОм
Vgs - Напряжение затвор-исток: -10 В, +20 В
Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток: 5,55 В
Минимальная рабочая температура: -40℃
Максимальная рабочая температура: +150℃
Pd - Рассеиваемая мощность: 20 мВт
Конфигурация: 3-фазный
Время спада: 18,5 нс
Тип продукта: Модули MOSFET
Время нарастания: 23,4 нс
Типичное время задержки выключения: 82,9 нс
Типичное время задержки включения: 26,7 нс
Vf - Прямое напряжение: 4,6 В
Vr - Обратное напряжение: 1,2 кВ
Ключевые особенности
  • Лучшие в своем классе корпуса высотой 12 мм
  • Передовые материалы WBG
  • Очень низкая паразитная индуктивность модуля
  • Улучшенный CoolSiC™ MOSFET Gen 1
  • Расширенное окно напряжения управления затвором
  • Напряжения затвор-исток +20 В и -10 В
  • Контакты PressFIT
  • Интегрированный датчик температуры NTC
Применение
  • Аккумуляторные системы хранения энергии (BESS)
  • Зарядка электромобилей
  • Фотовольтаика
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
Другие электронные компоненты в наличии
Номер детали Корпус
STM32F215VET6 100-LQFP
STM32F215VGT6 100-LQFP
STM32F215ZET6 144-LQFP
STM32F215ZGT6 144-LQFP
STM32F205RCT6 64-LQFP
STM32F205RBT6 64-LQFP
STM32G431K6T6 32-LQFP
STM32G431K8T6 32-LQFP
STM32G431KBT6 32-LQFP
STM32G431K6U6 32-UFQFPN
STM32G431K8U6 32-UFQFPN
STM32G431KBU3 32-UFQFPN
STM32G431KBU6 32-UFQFPN
STM32G431C6T6 48-LQFP
STM32G431C8T6 48-LQFP
STM32G431CBT6 48-LQFP
STM32G431C6U6 48-UFQFN
STM32G431C8U3 48-UFQFN
STM32G431C8U6 48-UFQFN
STM32G431CBY6 48-UFQFN
STM32G431CBU6 48-UFQFN
STM32G431R6T6 64-LQFP
STM32G431R8T6 64-LQFP
STM32G431R6I6 64-UFBGA
STM32G431R8I6 64-UFBGA
STM32G431RBI6 64-UFBGA
STM32G431M6T6 80-LQFP
STM32G431M8T6 80-LQFP
STM32G431MBT6 80-LQFP
STM32G431V8T6 100-LQFP
Часто задаваемые вопросы
В. Являются ли ваши продукты оригинальными?
О: Да, все продукты оригинальные, наша цель — импорт новой оригинальной продукции.
В. Какие сертификаты у вас есть?
О: Мы являемся компанией, сертифицированной по ISO 9001:2015, и членом ERAI.
В. Можете ли вы поддержать заказ небольшого количества или образец? Является ли образец бесплатным?
О: Да, мы поддерживаем заказы на образцы и небольшие заказы. Стоимость образца зависит от вашего заказа или проекта.
В. Как отправить мой заказ? Безопасно ли это?
О: Мы используем экспресс-доставку, такую как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать предложенного вами экспедитора. Продукты будут хорошо упакованы и обеспечат безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта в вашем заказе.
В. Что насчет времени выполнения заказа?
О: Мы можем отправить складские детали в течение 5 рабочих дней. Если нет в наличии, мы подтвердим время выполнения заказа для вас в зависимости от количества вашего заказа.

тег:

Автомобильные модули 400A IGBT,

Модуль силы FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Модуль 1200V порошка IGBT

Контактная информация
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200V (1.2kV)

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A

Rds на (Макс) @ id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Id Vgs (th) (Макс) @: 5.55V @ 240mA
модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Номер части: Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

Тип IGBT: Канава

Статус продукта: Активный

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 950 v
Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 950 v

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 310 a

Сила - Макс: 20 mW

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A
Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ)

Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 200А

Тип установки: Подвеска на шасси
Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Номер части: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 750 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 200 А

Мощность - Макс: 20 мВт
около

Обломок интегральной схемаы

VN7008AJTR интегральная схема Чип высокий драйвер 96A высокие переключатели PowerSSO-16

ADG1433YCPZ интегральный микросхема чип iCMOSTM переключатель 4.7 Ом Промышленные CMOS аналоговые переключатели

LT6700CS6-1 Комплексная схема микроэлектрический низковольтный двойной сравнитель с 400mV ссылкой

ИС Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-линейный 6-портовый PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-линейный 16-портовый PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Аляска Ультра Гигабитные Ethernet PHY передатчики

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество Обломок интегральной схемаы поставщик. © 2022 - 2026 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.. All Rights Reserved.