logo
Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияGaN IC

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

Все продукты

Обломок интегральной схемаы

(24373)

BT IC

(575)

Автомобильные модули IGBT

(2304)

Микроконтроллер MCU

(16135)

GaN IC

(306)

Чип процессора ИИ

(1351)

Вентильная матрица поля Programmable

(7072)

ИС Ethernet

(1167)

Коннекторы

(3537)

Микросхема памяти

(2651)

Датчик IC

(2884)

IoT-чип

(248)

5G-модуль

(160)

Обломок WIFI

(199)

Обломок Iphone IC

(54)

Беспроводной модуль связи

(3880)

Термостат регулятора температуры

(11)

Врезанные решения

(10093)
Сертификация
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Просмотрения клиента
Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC
BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

Большие изображения :  BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: Original Factory
Сертификация: Lead free / RoHS Compliant
Номер модели: БМ3Г107МУВ-ЛБЕ2
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10
Цена: Contact for Sample
Упаковывая детали: Стандартный пакет
Время доставки: 3-5 рабочих дней
Условия оплаты: Т/Т
Поставка способности: 10000 штук в день
контакт

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

Описание
Выделить:

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC

,

BM3G107MUV-LBE2

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC [MJD Advantage] + 15 years experience for electronic components + Secure Ordering + Excellent Feedback + Delivery Date Guaranteed + 100% Low Price Guaranteed + Export to 108 countries, customer satisfaction rate: 99.9% !! [Company profile] Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. is an authorized independent distributor of electronic components of world-renowned brands. Founded in Shenzhen in 1996

тег:

VQFN54 интегрировало половинного водителя Gan моста,

FET LMG3422R030RQZR GaN,

Водитель VQFN54 ворот Fet Gan

Контактная информация
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Половинное общее назначение GaN IC IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 водителя моста

Половинное общее назначение GaN IC IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 водителя моста

Категория: Водители Полу-моста PMIC полные

Серия: CoolGaN™

Применения: Общее назначение

Rds дальше: 140mOhm LS 140mOhm HS
Распределение силы Ic силы водителя LMG3411R070RWHR Gan FET переключает канал 32VQFN p

Распределение силы Ic силы водителя LMG3411R070RWHR Gan FET переключает канал 32VQFN p

Соотношение - Вход:Выход: 1:1

Интерфейс: Логика, PWM

Напряжение - питание (Vcc/Vdd): 9.5V | 18V

Текущий объем производства (Макс): 12А
Водитель GaN канала p водителя переключателя мощности LMG3410R070RWHR GaN IC интегрировал

Водитель GaN канала p водителя переключателя мощности LMG3410R070RWHR GaN IC интегрировал

Конфигурация вывода: Высокая сторона

Тип выхода: P-канал

напряжение - нагрузка: 480V (Макс)

Напряжение - питание (Vcc/Vdd): 9.5V | 18V
FET 600V LMG3422R030RQZR GaN интегрировал изолированных водителей ворот GaN

FET 600V LMG3422R030RQZR GaN интегрировал изолированных водителей ворот GaN

Выходной ток: 1,2 А

Напряжение питания - мин: 7.5 В

Напряжение питания - Макс: 18 В

Время восхода: 4 нс
Канал IC n переключателя распределения силы IC 6A VQFN32 водителя LMG3411R150RWHR Gan

Канал IC n переключателя распределения силы IC 6A VQFN32 водителя LMG3411R150RWHR Gan

Напряжение - нагрузка: 480V (Макс)

Напряжение тока - поставка (Vcc/Vdd): 9.5V | 18V

Текущий объем производства (Макс): 6A

Rds на (тип): 150мОм
около

Обломок интегральной схемаы

VN7008AJTR интегральная схема Чип высокий драйвер 96A высокие переключатели PowerSSO-16

ADG1433YCPZ интегральный микросхема чип iCMOSTM переключатель 4.7 Ом Промышленные CMOS аналоговые переключатели

LT6700CS6-1 Комплексная схема микроэлектрический низковольтный двойной сравнитель с 400mV ссылкой

ИС Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-линейный 6-портовый PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-линейный 16-портовый PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Аляска Ультра Гигабитные Ethernet PHY передатчики

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество Обломок интегральной схемаы поставщик. © 2022 - 2026 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.. All Rights Reserved.