Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

SVT2020N090SC1 Кремниевой карбидный МОСФЕТ-транзистор с напряжением 900 В отхода к источнику, низким RDSon и ультранизким зарядом входа

Name: SVT2020N090SC1 Кремниевой карбидный МОСФЕТ-транзистор с напряжением 900 В отхода к источнику, низким RDSon и ультранизким зарядом входа
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: СВТ2020N090SC1
Price: Подлежит обсуждению USD
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(29325)

BT IC
(577)

Автомобильные модули IGBT
(2395)

Микроконтроллер MCU
(16988)

GaN IC
(321)

Чип процессора ИИ
(1353)

Вентильная матрица поля Programmable
(7070)

ИС Ethernet
(1207)

Коннекторы
(3705)

Микросхема памяти
(2918)

Датчик IC
(3214)

IoT-чип
(267)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(201)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3882)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(9581)

Самые лучшие продукты

Чип интегральной схемы CYPD6227-96BZXI

MC33984CHFKR2 Чип интегральной схемы

MCZ33905DD5EKR2 Система чипов интегральной схемы

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

SVT2020N090SC1 Кремниевой карбидный МОСФЕТ-транзистор с напряжением 900 В отхода к источнику, низким RDSon и ультранизким зарядом входа

Большие изображения : SVT2020N090SC1 Кремниевой карбидный МОСФЕТ-транзистор с напряжением 900 В отхода к источнику, низким RDSon и ультранизким зарядом входа

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	СВТ2020N090SC1

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	D2PAK-7
Время доставки:	3-5 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т
Поставка способности:	10000 штук в день

контакт

SVT2020N090SC1 Кремниевой карбидный МОСФЕТ-транзистор с напряжением 900 В отхода к источнику, низким RDSon и ультранизким зарядом входа

Описание

Номер детали:

СВТ2020N090SC1

Тип:

Карбидокремниевый МОП-транзистор

Упаковка:

D2PAK-7

Напряжение стока к источнику (Vdss):

900 v

Выделить:

Карбид-кремниевый MOSFET-транзистор с напряжением сток-источник 900 В

Карбидокремниевый MOSFET-транзистор с низким уровнем RDson

МОП-транзистор из карбида кремния со сверхнизким зарядом затвора

Интегральная схема SVT2020N090SC1, транзистор MOSFET на карбиде кремния 900В 20мОм

Обзор продукта SVT2020N090

Транзистор SVT2020N090SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET использует передовую технологию для обеспечения превосходных характеристик переключения и повышенной надежности по сравнению с традиционными кремниевыми компонентами. Благодаря низкому сопротивлению во включенном состоянии и компактной конструкции кристалла, этот MOSFET обеспечивает минимальную емкость и заряд затвора, что приводит к высочайшей эффективности, более высоким рабочим частотам, увеличенной плотности мощности, снижению электромагнитных помех и уменьшению размеров системы.

Ключевые особенности SVT2020N090

Низкое RDSon
Сверхнизкий заряд затвора (Qg tot)
Низкая выходная емкость (Coss)
100% протестировано UIL
Соответствует RoHS

Применение SVT2020N090

Преобразователь DC-DC
Бустерный инвертор

Сопутствующие товары

Номер детали	Корпус
PI7C9X2G312GPBNJE	196-LBGA
DRV8353SMRTAT	40-WFQFN
DRV8328DRUYR	28-VFQFN
UCC5350SBQDRQ1	8-SOIC
DRV8353FHRTAR	40-WFQFN
DRV8714SQRHARQ1	40-VFQFN
DRV8328ARUYR	28-VFQFN
LMG3411R050RWHR	32-VQFN
TPS59603QDSGTQ1	8-WFDFN
UCC27282QDDARQ1	8-SOIC
LMG3411R070RWHR	VQFN32
DRV8106HQRHBRQ1	32-VFQFN
NCD57090CDWR2G	8-SOIC
NCV57090BDWR2G	8-SOIC
MAX16138ATA01/VY	8-TDFN
MAX16150CWT	6-WFBGA
MAX16127TC/V	12-WFQFN
ADM1266ACPZ	64-WFQFN
TPS35AA38AGADDFRQ1	SOT-23-8
TPS3436CCCBGDDFRQ1	SOT-23-8
TPS35AA17AGADDFR	SOT-23-8
TPS3435CAKAGDDFR	SOT-23-8
TPS35CA43DACDDFRQ1	SOT-23-8
TPS36CA66BECDDFRQ1	SOT-23-8
TPS37F010122DSKR	10-WFDFN
TPS37A010122DYYRQ1	SOT-23-14
TPS37043BJOFDDFRQ1	SOT-23-8
TPS37B010122DSKR	10-WFDFN
TPS38J010155DSKRQ1	10-WFDFN
TPS37A543222DSKRQ1	10-WFDFN

Теги продукта: SVT2020N090SC1, SVT2020N090SC, SVT2020N090S, SVT2020N090

Часто задаваемые вопросы

Являются ли ваши продукты оригинальными?

Да, все продукты оригинальные. Предоставление новых оригинальных импортных компонентов является нашей основной целью.

Какие у вас есть сертификаты?

Мы являемся компанией, сертифицированной по стандарту ISO 9001:2015, и членом ERAI.

Можете ли вы поддерживать заказы малого количества или образцы? Является ли образец бесплатным?

Да, мы поддерживаем заказы на образцы и небольшие количества. Стоимость образцов варьируется в зависимости от ваших требований к заказу и спецификаций проекта.

Как вы отправляете мой заказ? Безопасно ли это?

Мы используем экспресс-перевозчиков, таких как DHL, FedEx, UPS, TNT и EMS. Мы также можем использовать вашего предпочтительного экспедитора. Продукты тщательно упаковываются для обеспечения безопасности, и мы несем ответственность за любой ущерб вашему заказу.

Каково время выполнения заказа?

Мы можем отправить складские позиции в течение 5 рабочих дней. Для позиций, которых нет на складе, мы подтвердим время выполнения заказа в зависимости от количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Микроконтроллеры IC QFN32 микросхемы ATSAMD21E17D-MFT малой мощности

номер части: АЦАМД21Э17Д-МФТ

Ширина шины данных: 32 бит

Размер памяти программы: 128 КБ

Тактовая частота (макс.): 48 МГц

SVT2020N090SC1 Кремниевой карбидный МОСФЕТ-транзистор с напряжением 900 В отхода к источнику, низким RDSon и ультранизким зарядом входа

SVT2020N090SC1 Кремниевой карбидный МОСФЕТ-транзистор с напряжением 900 В отхода к источнику, низким RDSon и ультранизким зарядом входа

SVT2020N090SC1 Кремниевой карбидный МОСФЕТ-транзистор с напряжением 900 В отхода к источнику, низким RDSon и ультранизким зарядом входа

Карбид-кремниевый MOSFET-транзистор с напряжением сток-источник 900 В

Карбидокремниевый MOSFET-транзистор с низким уровнем RDson

МОП-транзистор из карбида кремния со сверхнизким зарядом затвора

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,