CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Усиление от 6 ГГц до 12 ГГц Мощный усилитель на основе нитрида галлия HEMT MMIC

CMPA601 — это монолитная СВЧ-интегральная схема (MMIC) на основе высокоподвижного транзистора (HEMT) из нитрида галлия (GaN) на подложке из карбида кремния, использующая технологический процесс с длиной затвора 0,25 мкм. GaN на SiC предлагает превосходные свойства по сравнению с кремнием, арсенидом галлия или GaN на Si, включая более высокое напряжение пробоя, более высокую скорость дрейфа насыщения электронов и более высокую теплопроводность. GaN HEMT также обеспечивают большую плотность мощности и более широкие полосы пропускания по сравнению с транзисторами Si, GaAs и GaN на Si. Эта MMIC отличается конструкцией реактивно согласованного усилителя, обеспечивающей очень широкие полосы пропускания.

• Усиление малого сигнала 34 дБ
• Типичная пиковая мощность 40 Вт
• Работа до 28 В
• Высокое напряжение пробоя
• Работа при высоких температурах
• Размер 0,172 x 0,239 x 0,004 дюйма

• Широкополосные усилители
• Радарные усилители
• Усилители для испытательного оборудования
• Усилители для систем постановки помех