Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Транзистор для Высокотоковых Применений

Name: IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Транзистор для Высокотоковых Применений
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: ИРЛБ3813
Price: Подлежит обсуждению USD
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(28880)

BT IC
(577)

Автомобильные модули IGBT
(2395)

Микроконтроллер MCU
(16987)

GaN IC
(321)

Чип процессора ИИ
(1353)

Вентильная матрица поля Programmable
(7070)

ИС Ethernet
(1207)

Коннекторы
(3704)

Микросхема памяти
(2917)

Датчик IC
(3215)

IoT-чип
(267)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(201)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3882)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(10028)

Самые лучшие продукты

Чип интегральной схемы CYPD6227-96BZXI

MC33984CHFKR2 Чип интегральной схемы

MCZ33905DD5EKR2 Система чипов интегральной схемы

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Транзистор для Высокотоковых Применений

Большие изображения : IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Транзистор для Высокотоковых Применений

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	ИРЛБ3813

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	TO-220-3
Время доставки:	3-5 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т
Поставка способности:	10000 штук в день

контакт

IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Транзистор для Высокотоковых Применений

Описание

Номер детали:	ИРЛБ3813	Напряжение стока к источнику (Vdss):	30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:	260A (Tc)	Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):	4.5В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	1,95 мОм при 60 А, 10 В	Vgs(th) (Max) @ Id:	2.35V @ 150µA
Выделить:	силовой MOSFET на 30 В , МОП-транзистор 260А , 1

Интегральная схема IRLB3813, транзистор MOSFET, одноканальный N-типа, StrongIRFET™, 30 В

Обзор продукта IRLB3813

IRLB3813 — это одноканальный N-канальный MOSFET-транзистор StrongIRFET™ с логическим уровнем 30 В в корпусе TO-220.

Семейство силовых MOSFET-транзисторов StrongIRFET™ оптимизировано для низкого сопротивления RDS(on) и высокой токовой нагрузки. Эти устройства идеально подходят для низкочастотных приложений, требующих производительности и надежности, и используются в таких областях, как двигатели постоянного тока, системы управления аккумуляторами, инверторы и преобразователи постоянного тока.

Технические характеристики IRLB3813

Полярность транзистора	N-канал
Количество каналов	1 канал
Vds - Напряжение пробоя сток-исток	30 В
Id - Постоянный ток стока	260 А
Rds On - Сопротивление сток-исток	1,95 МОм
Vgs - Напряжение затвор-исток	20 В
Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток	1,9 В
Qg - Заряд затвора	86 нКл
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Максимальная рабочая температура	+175 °C
Pd - Рассеиваемая мощность	230 Вт
Время спада	60 нс
Прямая крутизна характеристики - Мин.	140 См
Тип продукта	MOSFET
Время нарастания	170 нс
Типичное время выключения	33 нс
Типичное время включения	36 нс
Вес единицы	2 г

Ключевые особенности IRLB3813

Стандартный сквозной корпус
Высокий номинальный ток
Квалификация продукта по стандарту JEDEC
Кремниевые переключающие приложения на частоте 100 кГц
Более мягкий корпусной диод по сравнению с предыдущим поколением
Широкий ассортимент

Преимущества продукта IRLB3813

Прямая замена со стандартной распиновкой
Корпус с высокой токовой нагрузкой
Стандартный уровень квалификации
Высокопроизводительные, низкочастотные
Повышенная плотность мощности
Гибкость для оптимального выбора устройства

Применение IRLB3813

Оптимизировано для ИБП/инверторных приложений
Высокочастотные изолированные преобразователи постоянного тока с синхронным выпрямлением для телекоммуникаций и промышленного применения
Электроинструменты

Сопутствующие товары

Номер детали	Корпус
ISO7421EQDWRQ1	16-SOIC
ISOW7743DFMR	20-SOIC
ISO6720BQDRQ1	8-SOIC
ISO6720FBQDRQ1	8-SOIC
ISO6720QDWVRQ1	8-SOIC
ISO7710FQDWRQ1	16-SOIC
ISO7710QDWRQ1	16-SOIC
ISO7730FQDBQRQ1	16-SSOP
ISO7731FQDBQRQ1	16-SSOP
ISO7731QDBQRQ1	16-SSOP
ISO7720FQDWRQ1	16-SOIC
ISO7720QDWRQ1	16-SOIC
ISO7721QDWRQ1	16-SOIC
ISO7740FQDBQRQ1	16-SSOP
ISO7740QDBQRQ1	16-SSOP
ISO7742FQDBQRQ1	16-SSOP
ISO7741FQDBQRQ1	16-SSOP
ISO7730FQDWRQ1	16-SOIC
ISO7740FQDWRQ1	16-SOIC
ISO7740QDWRQ1	16-SOIC
ISO7742FQDWRQ1	16-SOIC
ISO7742QDWRQ1	16-SOIC
ISO7760FQDBQRQ1	16-SSOP
ISO7761QDBQRQ1	16-SSOP
ISO7761FQDBQRQ1	16-SSOP
ISO7760QDBQRQ1	16-SSOP
ADUM120N1WBRZ	8-SOIC
SI8610BD-B-ISR	16-SOIC
SI8610ED-B-ISR	16-SOIC
SI8622EB-ASR	8-SOIC

Часто задаваемые вопросы

В: Являются ли ваши продукты оригинальными?

О: Да, все продукты оригинальные, наша цель — новые оригинальные импортные товары.

В: Какие у вас есть сертификаты?

О: Мы являемся компанией, сертифицированной по стандарту ISO 9001:2015, и членом ERAI.

В: Можете ли вы поддержать заказ небольшого количества или образец? Является ли образец бесплатным?

О: Да, мы поддерживаем заказы на образцы и небольшие заказы. Стоимость образца зависит от вашего заказа или проекта.

В: Как отправить мой заказ? Безопасно ли это?

О: Мы используем экспресс-доставку, такую как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать предложенного вами экспедитора. Продукты будут хорошо упакованы и обеспечат безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта в вашем заказе.

В: Что насчет времени выполнения заказа?

О: Мы можем отправить складские позиции в течение 5 рабочих дней. Если товара нет на складе, мы подтвердим время выполнения заказа для вас в зависимости от количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Микроконтроллеры IC QFN32 микросхемы ATSAMD21E17D-MFT малой мощности

номер части: АЦАМД21Э17Д-МФТ

Ширина шины данных: 32 бит

Размер памяти программы: 128 КБ

Тактовая частота (макс.): 48 МГц

IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Транзистор для Высокотоковых Применений

IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Транзистор для Высокотоковых Применений

IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Транзистор для Высокотоковых Применений

силовой MOSFET на 30 В

МОП-транзистор 260А

1

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,