Главная страница Продукция Автомобильные модули IGBT

DDB6U104N16RR Automotive IGBT Modules High Power Density 1600V 104A SiC Diode Bridge Module

Name: DDB6U104N16RR Automotive IGBT Modules High Power Density 1600V 104A SiC Diode Bridge Module
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: DDB6U104N16RR
Price: Подлежит обсуждению USD
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(27211)

BT IC
(577)

Автомобильные модули IGBT
(2395)

Микроконтроллер MCU
(16978)

GaN IC
(321)

Чип процессора ИИ
(1353)

Вентильная матрица поля Programmable
(7070)

ИС Ethernet
(1207)

Коннекторы
(3702)

Микросхема памяти
(2915)

Датчик IC
(3213)

IoT-чип
(267)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(201)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3882)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(10093)

Самые лучшие продукты

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

DDB6U104N16RR Automotive IGBT Modules High Power Density 1600V 104A SiC Diode Bridge Module

Большие изображения : DDB6U104N16RR Automotive IGBT Modules High Power Density 1600V 104A SiC Diode Bridge Module

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	DDB6U104N16RR

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	Стандартный пакет
Время доставки:	3-5 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т
Поставка способности:	10000 штук в день

контакт

DDB6U104N16RR Automotive IGBT Modules High Power Density 1600V 104A SiC Diode Bridge Module

Описание

Выделить:

DDB6U104N16RR Automotive IGBT Modules

DDB6U104N16RR

DDB6U104N16RR Automotive IGBT Modules High Power Density 1600V 104A SiC Diode Bridge Module [MJD Advantage] + 15 years experience for electronic components + Secure Ordering + Excellent Feedback + Delivery Date Guaranteed + 100% Low Price Guaranteed + Export to 108 countries, customer satisfaction rate: 99.9% !! [Company profile] Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. is an authorized independent distributor of electronic components of world-renowned brands. Founded in

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200V (1.2kV)

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A

Rds на (Макс) @ id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Id Vgs (th) (Макс) @: 5.55V @ 240mA

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Номер части: Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

Тип IGBT: Канава

Статус продукта: Активный

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 950 v

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 950 v

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 310 a

Сила - Макс: 20 mW

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ)

Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 200А

Тип установки: Подвеска на шасси

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Номер части: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 750 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 200 А

Мощность - Макс: 20 мВт

DDB6U104N16RR Automotive IGBT Modules High Power Density 1600V 104A SiC Diode Bridge Module

DDB6U104N16RR Automotive IGBT Modules High Power Density 1600V 104A SiC Diode Bridge Module

DDB6U104N16RR Automotive IGBT Modules High Power Density 1600V 104A SiC Diode Bridge Module

DDB6U104N16RR Automotive IGBT Modules

DDB6U104N16RR

Автомобильные модули 400A IGBT,

Модуль силы FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,