Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

IKW25N120T2 1200V 25A IGBT транзистор с антипараллельным диодным интегральным микросхемой

Name: IKW25N120T2 1200V 25A IGBT транзистор с антипараллельным диодным интегральным микросхемой
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IKW25N120T2
Price: Подлежит обсуждению USD
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(28880)

BT IC
(577)

Автомобильные модули IGBT
(2395)

Микроконтроллер MCU
(16987)

GaN IC
(321)

Чип процессора ИИ
(1353)

Вентильная матрица поля Programmable
(7070)

ИС Ethernet
(1207)

Коннекторы
(3704)

Микросхема памяти
(2917)

Датчик IC
(3215)

IoT-чип
(267)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(201)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3882)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(10028)

Самые лучшие продукты

Чип интегральной схемы CYPD6227-96BZXI

MC33984CHFKR2 Чип интегральной схемы

MCZ33905DD5EKR2 Система чипов интегральной схемы

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

IKW25N120T2 1200V 25A IGBT транзистор с антипараллельным диодным интегральным микросхемой

Большие изображения : IKW25N120T2 1200V 25A IGBT транзистор с антипараллельным диодным интегральным микросхемой

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	IKW25N120T2

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	ТО-247-3
Время доставки:	3-5 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т
Поставка способности:	10000 штук в день

контакт

IKW25N120T2 1200V 25A IGBT транзистор с антипараллельным диодным интегральным микросхемой

Описание

Номер детали:	IKW25N120T2	Напряжение - разбивка излучателя коллекционера (макс):	1200 В.
Current - Collector (IC) (макс):	50 а	Настоящий - пульсированный сборник (Icm):	100 А
Мощность - Макс.:	349 w	Переключая энергия:	2.9mJ
Выделить:	1200В IGBT транзистор , Интегральная микросхема 25А , Антипараллельный диод Дискретный IGBT

Интегральная схема IKW25N120T2 1200V 25A IGBT транзисторы с антипараллельным диодом

Обзор продукта IKW25N120T2

IKW25N120T2 — дискретный IGBT на 1200 В, 25 А с антипараллельным диодом в корпусе TO-247-3. Это устройство TRENCHSTOP™ IGBT4 сочетает в себе технологию траншейных ячеек и полевых стопов для значительного улучшения статических и динамических характеристик. Интеграция с диодом с эмиттерным управлением и мягким восстановлением дополнительно минимизирует потери при включении, достигая оптимальной эффективности за счет наилучшего компромисса между потерями при переключении и проводимости.

Технические характеристики IKW25N120T2

Конфигурация	Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер VCEO	1,2 кВ
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1,7 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	-20 В, 20 В
Постоянный ток коллектора при 25°C	50 А
Рассеиваемая мощность	349 Вт
Минимальная рабочая температура	-40°C
Максимальная рабочая температура	+175°C
Ток утечки затвор-эмиттер	200 нА
Вес единицы	38 г

Ключевые особенности IKW25N120T2

Самое низкое падение VCEsat
Низкие потери при переключении
Положительный температурный коэффициент VCEsat
Простая возможность параллельного переключения
Очень мягкий, быстро восстанавливающийся диод
Высокая надежность
Температурно-стабильное поведение
Низкие электромагнитные излучения
Низкий заряд затвора
Очень узкое распределение параметров

Применение IKW25N120T2

Бытовая техника
Управление двигателями
Источники бесперебойного питания (ИБП)

Сопутствующие компоненты в наличии

Номер детали	Корпус
ISP16DP10LM	PG-SOT223-4
ISP25DP06LM	PG-SOT223-4
ISP25DP06NM	PG-SOT223-4
ISP98DP10LM	PG-SOT223-4
ISP12DP06NM	PG-SOT223-4
ISP20EP10LM	PG-SOT223-4
ISP650P06NM	PG-SOT223-4
ISP14EP15LM	PG-SOT223-4
ISP75DP06LM	PG-SOT223-4
ISP13DP06NMS	PG-SOT223
ISP25DP06LMS	PG-SOT223
ISP26DP06NMS	PG-SOT223
ISS17EP06LM	PG-SOT23
ISC240P06LM	PG-TDSON-8 FL
IPP330P10NM	PG-TO220-3
IPB60R040CFD7	PG-TO263-3
IPB60R040C7	PG-TO263-3
IPB60R045P7	PG-TO263-3
IPB60R060P7	PG-TO263-3
IPB60R070CFD7	PG-TO263-3
IPB65R090CFD7	PG-TO263-3
IPB65R099CFD7A	PG-TO263-3
IPB60R105CFD7	PG-TO263-3
IPB65R110CFDA	PG-TO263-3
IPB65R110CFD7	PG-TO263-3
IPB65R125CFD7	PG-TO263-3
IPB65R155CFD7	PG-TO263-3
IPB60R180P7	PG-TO263-3
IPB60R180C7	PG-TO263-3
IPB80R290C3A	PG-TO263-3

Часто задаваемые вопросы

Ваши продукты оригинальные?

Да, все продукты оригинальные, наша цель — новые оригинальные импортные товары.

Какие у вас сертификаты?

Мы являемся сертифицированной компанией по стандарту ISO 9001:2015 и членом ERAI.

Можете ли вы поддержать заказ небольшого количества или образец? Образец бесплатный?

Да, мы поддерживаем заказы на образцы и небольшие заказы. Стоимость образца зависит от вашего заказа или проекта.

Как отправить мой заказ? Безопасно ли это?

Мы используем экспресс-доставку, такую как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать предложенного вами экспедитора. Продукты будут хорошо упакованы и обеспечат безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта в вашем заказе.

Что насчет времени выполнения заказа?

Мы можем отправить складские позиции в течение 5 рабочих дней. Если нет в наличии, мы подтвердим время выполнения заказа для вас в зависимости от количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Микроконтроллеры IC QFN32 микросхемы ATSAMD21E17D-MFT малой мощности

номер части: АЦАМД21Э17Д-МФТ

Ширина шины данных: 32 бит

Размер памяти программы: 128 КБ

Тактовая частота (макс.): 48 МГц

IKW25N120T2 1200V 25A IGBT транзистор с антипараллельным диодным интегральным микросхемой

IKW25N120T2 1200V 25A IGBT транзистор с антипараллельным диодным интегральным микросхемой

IKW25N120T2 1200V 25A IGBT транзистор с антипараллельным диодным интегральным микросхемой

1200В IGBT транзистор

Интегральная микросхема 25А

Антипараллельный диод Дискретный IGBT

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,