W632GU6RB-11 Микросхема памяти 2 Гбит DDR3L SDRAM 933 МГц низковольтная для встраиваемых систем

W632GU6RB-11 представляет собой 2Gb DDR3L SDRAM чип памяти.что делает его идеальным для встроенных систем с требованиями как к энергоэффективности, так и к пропускной способности.

W632GU6RB-11 имеет 16M × 8 банков × 16-битную архитектуру, с общей емкостью 2 Гб и шириной шины шины 16 бит (x16)..35 V/1.5 V (VDDQ), сохраняя при этом совместимость со стандартными 1,5 V уровнями ввода/вывода DDR3, позволяя гибкий выбор во время проектирования системы.Размер всего 7.5 × 13 мм, что делает его подходящим для ограниченного пространства встроенных приложений.

• Силовое питание: 1,35 В (обычно), VDD, VDDQ = 1,283 В до 1,45 В
• В обратном направлении совместимая с VDD, VDDQ = 1,5V ± 0,075V
• Архитектура двойной скорости передачи данных: две передачи данных в часовой цикл
• Восемь внутренних банков для одновременной работы
• Архитектура 8-битного предварительного поиска
• CAS-задержка: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13 и 14
• Режимы взрывной длины 8 (BL8) и взрывной лопатки 4 (BC4): фиксируются с помощью регистра режима (MRS) или выбираются на борту (OTF)
• Программируемое чтение в порядке взрыва: переплетенное или последовательное
• Двунаправленные дифференциальные светофоры данных (DQS и DQS#) передаются / принимаются с данными
• Край выровнен с данными чтения и центр выровнен с данными записи
• DLL выстраивает переходы DQ и DQS с часами
• Дифференциальные часовые входы (CK и CK#)
• Команды, введенные на каждом положительном краю CK, данных и маски данных, ссылаются на оба края дифференциальной пары данных (двойная скорость передачи данных)
• Отправленный CAS с программируемой аддитивной задержкой (AL = 0, CL - 1 и CL - 2) для повышения эффективности команды, адресации и шины передачи данных
• Прочитание задержки = добавленная задержка плюс CAS-задержка (RL = AL + CL)
• Операция автоматической предварительной зарядки для прочтения и записи
• Обновление, самообновление, автоматическое самообновление (ASR) и частичное самообновление массива (PASR)
• Заранее заряженное отключение питания и активное отключение питания
• Маски данных (DM) для записи данных
• Программируемая задержка записи CAS (CWL) на операционную частоту
• Напишите Latency WL = AL + CWL
• Многоцелевой регистр (MPR) для считывания заранее определенной последовательности бит калибровки времени системы
• Поддержка калибровки синхронизации на уровне системы посредством выравнивания записи и шаблона чтения MPR
• ZQ Калибровка выходной драйвера и ODT с использованием внешнего эталонного сопротивления к земле
• Асинхронный пин RESET# для последовательности инициализации Power-up и функции сброса
• Программируемая конечная точка (ODT) для данных, маски данных и пар дифференциальных стробных лучей
• Динамический режим ODT для улучшения целостности сигнала и предварительного выбора импедансов окончания во время записи
• Размер страницы 2K байтов

• Встроенные системы: Приложения, требующие средней вместимости высокоскоростных кэшей, таких как промышленное управление, интерфейсы человек-машина (HMI) и терминалы сбора данных
• Сетевое оборудование: буферизация данных в устройствах связи, таких как маршрутизаторы, коммутаторы и шлюзы
• Потребительская электроника: потребительские продукты, затраты на которые невысоки, такие как цифровые телевизоры, приставки и умные динамики
• Автомобильная электроника: бортовые информационно-развлекательные системы и навигационные устройства (должен быть выбран вариант промышленной температуры)
• Промышленное зрение: буферизация кадров для камер машинного зрения и карт захвата изображений