|
Подробная информация о продукте:
|
| Номер детали: | IXTH200N10T | Тип полевого транзистора: | N-канал |
|---|---|---|---|
| Напряжение стока к источнику (Vdss): | 100 В | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: | 200А (Тс) |
| Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: | 9400 пФ при 25 В | Рассеяние власти (макс): | 550 Вт (Тс) |
| Выделить: | 100V Power MOSFET,200A N-Channel MOSFET,TO-247-3 Trench Gate MOSFET |
||
IXTH200N10T Integrated Circuit Chip 100V 200A N-Channel Trench Gate Power MOSFETs TO-247-3 Product Overview Of IXTH200 The IXTH200N10T is a 100V, 200A N-Channel Enhancement Mode Trench Gate Power MOSFET housed in a TO-247-3 package. It belongs to a series of high-current, low-on-resistance trench-gate power MOSFETs designed for demanding power switching applications, including switch-mode power supplies, motor drives, inverters, DC-DC converters, and welding machines.
Контактное лицо: Sales Manager
Телефон: 86-13410018555
Факс: 86-0755-83957753