|
Подробная информация о продукте:
|
| Номер детали: | IXFH80N65X2W | Напряжение стока к источнику (Vdss): | 650 В. |
|---|---|---|---|
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: | 80A (Tc) | Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены): | 10 В |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 38 мОм при 40 А, 10 В | Vgs(th) (Max) @ Id: | 5В @ 4mA |
| Выделить: | 650V MOSFET Transistor,80A Power MOSFET,38mOhm N-Channel MOSFET |
||
IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3 Product Overview Of IXFH80N65X2W The IXFH80N65X2W is an X2-Class HiPerFET power MOSFET rated at 650 V breakdown voltage with 80 A continuous drain current and 38 mΩ on-resistance. It is an avalanche-rated, N-channel enhancement-mode device featuring a fast intrinsic body diode, low gate charge, and low package inductance for high power density designs. This part targets switch-mode and resonant
Контактное лицо: Sales Manager
Телефон: 86-13410018555
Факс: 86-0755-83957753