Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  FETs транзисторов LFPAK56 MOSFET канавы P-канала транзисторов BUK6Y33-60PX одиночные

  Номер детали:BUK6Y33-60PX

  Vgs - напряжение тока Ворот-источника:- 20 V, + 20 V

  Полярность транзистора:P-канал

  Контакт
• 

  Обломок LFPAK56 интегральной схемаы транзисторов BUK6Y24-40PX MOSFET канавы P-канала

  Номер детали:BUK6Y24-40PX

  Устанавливать стиль:SMD/SMT

  Количество каналов:1 канал

  Контакт
• 

  Транзисторы LFPAK56 MOSFET режима повышения P-канала транзисторов BUK6Y19-30PX

  Номер детали:BUK6Y19-30PX

  Пакет/случай:LFPAK56, Power-SO8

  Серия:Автомобильный, AEC-Q101, TrenchMOS™

  Контакт
• 

  Транзисторы LFPAK56 MOSFET канавы P-канала обломока BUK6Y10-30PX 30V интегральной схемаы

  Номер детали:BUK6Y10-30PX

  Id Vgs (th) (Макс) @:3V @ 250µA

  Pd - диссипация силы:110 w

  Контакт
• 

  обломок LFPAK56 интегральной схемаы транзисторов BUK7Y7R0-40HX MOSFET N-канала 40V

  Номер детали:BUK7Y7R0-40HX

  Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше):10V

  Время падения:4,4 нс

  Контакт
• 

  Держатель поверхности транзисторов LFPAK88 MOSFET N-канала транзисторов BUK7S1R5-40HJ 40V

  Номер детали:BUK7S1R5-40HJ

  Тип транзистора:1 N-канал

  Пакет прибора поставщика:LFPAK88 (SOT1235)

  Контакт
• 

  Двойной обломок LFPAK56D интегральной схемаы транзисторов BUK9K52-60RAX MOSFET N-канала

  Номер детали:BUK9K52-60RAX

  Пакет/случай:LFPAK-56D-8

  Технология:Si

  Контакт
• 

  Двойной обломок интегральной схемаы транзисторов BUK9K25-40RAX LFPAK56D MOSFET N-канала

  Номер детали:BUK9K25-40RAX

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:701pF @ 25V

  Рабочая температура:-55°C | 175°C (TJ)

  Контакт
• 

  Одиночный обломок интегральной схемаы транзисторов BUK9M31-60ELX LFPAK33 MOSFET N-канала

  Номер детали:BUK9M31-60ELX

  Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:2,05 v

  Vgs - напряжение тока Ворот-источника:- 10 V, + 10 V

  Контакт
• 

  60V обломоки транзисторов LFPAK56 IC MOSFET N-канала транзисторов BUK9Y22-60ELX одиночные

  Номер детали:BUK9Y22-60ELX

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:48 nC @ 10 v

  Vgs (Макс):±10V

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов NTHL022N120M3S TO-247-3 MOSFET кремниевого карбида

  Номер детали:NTHL022N120M3S

  Время падения:14 нс

  Входная емкость (тип):3130pF

  Контакт
• 

  Обломоки транзисторов 1200V IC MOSFET N-канала транзисторов NTBG014N120M3P TO-263-8

  Номер детали:NTBG014N120M3P

  Pd - диссипация силы:454 w

  Низкие переключая потери:Тип. ЭРА j 1331 на 74 a, 800 v

  Контакт