Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов NTBG060N065SC1 D2PAK-7 650V MOSFET N-канала

  Номер детали:NTBG060N065SC1

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:74 nC @ 18 v

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:1473 pF @ 325 v

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-263-8 MOSFET кремниевого карбида обломока NTBG025N065SC1 интегральной схемаы

  Номер детали:NTBG025N065SC1

  Id - непрерывное течение стока:106 a

  Rds на - сопротивлении Сток-источника:28,5 mOhms

  Контакт
• 

  Транзистор MOSFET N-канала обломока NTH4L075N065SC1 TO-247-4 650V интегральной схемаы

  Номер детали:NTH4L075N065SC1

  Ультра низкая обязанность ворот:QG (младенец) = 61 nC

  Низкая емкость выхода:Coss = 107 pF

  Контакт
• 

  транзисторы NTH4L025N065SC1 MOSFET N-канала 650V через обломоки отверстия TO-247-4 IC

  Номер детали:NTH4L025N065SC1

  Минимальная рабочая температура:-55°C (TJ)

  Pd - диссипация силы:348 w

  Контакт
• 

  Обломок TO-247-3 интегральной схемаы транзисторов NTHL020N120SC1 1200V MOSFET N-канала

  Номер детали:NTHL020N120SC1

  Rds на (Макс) @ id, Vgs:28mOhm @ 60A, 20V

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:2890 pF @ 800 v

  Контакт
• 

  транзисторы TO-263-8 MOSFET N-канала MOSFET IMBG120R045M1H канавы 1200V SiC

  Номер детали:IMBG120R045M1H

  Короткое замыкание выдерживает время:3 µs

  Напряжение тока ворот поворота-:0В

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET канавы обломока IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V SiC интегральной схемаы

  Номер детали:IMBG120R060M1H

  Пульсированное течение стока:94A

  Диссипация силы, TC = 25°C:181W

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET канавы TO-263-8 кремниевого карбида N-канала IMBG120R220M1H 1200V

  Номер детали:IMBG120R220M1H

  Время падения:11 ns

  Передний Transconductance - минута:1,9 s

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET силы N-канала обломока MSC025SMA120J интегральной схемаы

  Номер детали:MSC025SMA120J

  Минимальная рабочая температура:- 55 c

  Максимальная рабочая температура:+ 175 c

  Контакт
• 

  N-канал 1200V 19A 94W транзисторов IMW120R140M1H MOSFET кремниевого карбида через отверстие

  Номер детали:IMW120R140M1H

  Рабочая температура:-55°C | 175°C (TJ)

  Полярность:N

  Контакт
• 

  ICs откалывают транзисторы MOSFET N-канала кремниевого карбида v MSC025SMA120S 1200

  Номер детали:MSC025SMA120S

  Тип FET:N-канал

  Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C:89A (Tc)

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-4 MOSFET обломока MSC180SMA120B 1200V SiC интегральной схемаы

  Номер детали:MSC180SMA120B

  Полярность транзистора:N-канал

  Устанавливать стиль:Через отверстие

  Контакт