Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  обломок HU2PAK-7 интегральной схемаы транзисторов SCT018H65G3AG SIC MOSFET силы 55A

  Номер детали:SCT018H65G3AG

  Пакет:HU2PAK-7

  Напряжение тока Ворот-источника:-10V к 22V

  Контакт
• 

  Транзисторы FETs транзисторов TO-247 MOSFET силы канала IXTH24N50L n линейные одиночные

  Номер детали:IXTH24N50L

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:160 nC @ 20 v

  Диссипация силы (Макс):400W (Tc)

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET силы кремниевого карбида обломока MSC040SMA120B интегральной схемаы

  номер детали:MSC040SMA120B

  Минимальная рабочая температура:- 55 С

  PD:311 w

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-263-8 MOSFET силы обломока IMBG65R163M1HXTMA1 интегральной схемаы

  Номер детали:IMBG65R163M1HXTMA1

  Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше):18V

  Rds на (Макс) @ id, Vgs:217mOhm @ 5.7A, 18V

  Контакт
• 

  Транзистор 8-PowerSFN MOSFET силы обломока IPT020N10N5ATMA1 100V интегральной схемаы

  Номер детали:IPT020N10N5ATMA1

  Диссипация силы (Макс):273W (Tc)

  Тип FET:N-канал

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN MOSFET силы

  Номер детали:BSZ050N03LSGATMA1

  Pd - диссипация силы:50 Вт

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:35 nC @ 10 v

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов TO-263-8 MOSFET силы N-канала SCT3040KW7TL SiC

  Номер детали:SCT3040KW7TL

  Pd - диссипация силы:267 w

  Режим канала:Повышение

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET силы SiC N-канала обломока SCT4018KEC11 TO-247-3 интегральной схемаы

  Номер детали:SCT4018KEC11

  Технология:НИЦ

  Устанавливать стиль:Через отверстие

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET силы кремниевого карбида обломока SCTWA35N65G2V интегральной схемаы

  Номер детали:SCTWA35N65G2V

  Тип FET:N-канал

  Диссипация силы:208 Вт (Тс)

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET силы кремниевого карбида обломока SCTWA60N120G2-4 интегральной схемаы

  Номер детали:SCTWA60N120G2-4

  Пробивное напряжение Сток-источника:1,2 kV

  Непрерывное течение стока:60 a

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-4L MOSFET силы кремниевого карбида N-канала NTH4L040N120SC1

  Номер детали:NTH4L040N120SC1

  Диссипация силы (Макс):319W (Tc)

  Устанавливать тип:Через отверстие

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET силы кремниевого карбида N-канала 650V 90A 390W SCTW90N65G2V

  Номер детали:SCTW90N65G2V

  Rds дальше:25 mOhms

  Напряжение тока порога Ворот-источника:1,9 В

  Контакт