Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Чип интегральной схемы IPP65R090CFD7 650V N канал питания MOSFET транзистор TO220

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы SH63N65DM6AG Мосфет массив 650V 53A Мощность MOSFET транзисторы

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Транзисторы 600V 8PowerVDFN MOSFET силы обломока STL24N60M6 интегральной схемаы

  Номер детали:STL24N60M6

  Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs:23 nC @ 10 v

  RDS (дальше) максимальный:mΩ 209

  Контакт
• 

  Транзисторы 750V H2PAK-7 MOSFET силы обломока SCT011H75G3AG интегральной схемаы SIC

  Номер детали:SCT011H75G3AG

  Напряжение тока Сток-источника:750 v

  Стеките настоящее (непрерывный) на TC = °C 25:110A

  Контакт
• 

  обломок HU2PAK-7 интегральной схемаы транзисторов SCT018H65G3AG SIC MOSFET силы 55A

  Номер детали:SCT018H65G3AG

  Пакет:HU2PAK-7

  Напряжение тока Ворот-источника:-10V к 22V

  Контакт
• 

  Транзисторы FETs транзисторов TO-247 MOSFET силы канала IXTH24N50L n линейные одиночные

  Номер детали:IXTH24N50L

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:160 nC @ 20 v

  Диссипация силы (Макс):400W (Tc)

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET силы кремниевого карбида обломока MSC040SMA120B интегральной схемаы

  номер детали:MSC040SMA120B

  Минимальная рабочая температура:- 55 С

  PD:311 w

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-263-8 MOSFET силы обломока IMBG65R163M1HXTMA1 интегральной схемаы

  Номер детали:IMBG65R163M1HXTMA1

  Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше):18V

  Rds на (Макс) @ id, Vgs:217mOhm @ 5.7A, 18V

  Контакт
• 

  Транзистор 8-PowerSFN MOSFET силы обломока IPT020N10N5ATMA1 100V интегральной схемаы

  Номер детали:IPT020N10N5ATMA1

  Диссипация силы (Макс):273W (Tc)

  Тип FET:N-канал

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN MOSFET силы

  Номер детали:BSZ050N03LSGATMA1

  Pd - диссипация силы:50 Вт

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:35 nC @ 10 v

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов TO-263-8 MOSFET силы N-канала SCT3040KW7TL SiC

  Номер детали:SCT3040KW7TL

  Pd - диссипация силы:267 w

  Режим канала:Повышение

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET силы SiC N-канала обломока SCT4018KEC11 TO-247-3 интегральной схемаы

  Номер детали:SCT4018KEC11

  Технология:НИЦ

  Устанавливать стиль:Через отверстие

  Контакт