Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Держатель транзисторов MOSFETs N-канала обломока IPDQ60R017S7XTMA1 500W IC поверхностный

  Номер части:IPDQ60R017S7XTMA1

  Rds дальше:17 мОм

  Th Vgs:4.5 В

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFETs держателя обломока IPQC60R017S7XTMA1 интегральной схемаы поверхностные

  Номер части:IPQC60R017S7XTMA1

  Qg - обязанность ворот:196 nC

  Минимальная рабочая температура:- 40 градусов.

  Контакт
• 

  Электронные транзисторы N-канала 600V 14A интегральных схема IPQC60R040S7XTMA1

  Номер части:IPQC60R040S7XTMA1

  Vgs (макс.):± 20 В

  Напряжение тока привода:12 В

  Контакт
• 

  N-канал через обломок интегральной схемаы транзисторов IPP60R040S7XKSA1 отверстия

  Номер части:IPP60R040S7XKSA1

  Rds на - сопротивлении Сток-источника:40 мОм

  Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:4.5 В

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов FCH060N80-F155 800V TO-247-3 N-канала

  Номер части:FCH060N80-F155

  Тип. RDS (дальше):54 m

  Ультра низкая обязанность ворот:Тип. Qg = 270 nC

  Контакт
• 

  Транзисторы держателя обломока IPBE65R230CFD7AATMA1 интегральной схемаы поверхностные

  Номер части:IPBE65R230CFD7AATMA1

  Тип FET:N-канал

  Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:1044 pF @ 400 v

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов NTPF082N65S3F TO-220F-3 650V N-канала силы

  Номер части:NTPF082N65S3F

  Режим канала:Повышение

  Тип транзистора:1 MOSFET SuperFET III N-канала

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов 8-PQFN N-канала NTMFSC0D9N04CL ДВОЙНОЙ КРУТОЙ

  Номер части:NTMFSC0D9N04CL

  Размер:5mm x 6mm

  Полярность транзистора:N-канал

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFETs N-канала 650V 24A обломока IPP65R099CFD7AAKSA1 IC одиночные

  Номер части:IPP65R099CFD7AAKSA1

  Vgs (макс.):± 20 В

  Диссипация силы (Макс):127W (Tc)

  Контакт
• 

  PG-TO263-7-11 поверхностные транзисторы держателя IPBE65R145CFD7AATMA1 650V одиночные

  Номер части:IPBE65R145CFD7AATMA1

  Технологии:MOSFET (металлическая окись)

  Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:17A (Tc)

  Контакт
• 

  Одиночный обломок интегральной схемаы транзисторов 900V TO-247-3 FETs NTHL020N090SC1

  Номер части:NTHL020N090SC1

  Пульсированное течение стока (ЖИВОТИКИ = 25°C):472A

  Ультра низкая обязанность ворот:QG (младенец) = 196 nC

  Контакт
• 

  Держатель транзисторов N-канала 100V 80A 150W обломока IPD050N10N5ATMA1 IC поверхностный

  Номер части:IPD050N10N5ATMA1

  Стеките к напряжению тока источника:100 В

  Количество каналов:1

  Контакт