Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Транзисторы MOSFETs обломока 1200V 30A SCT3080KW7TL интегральной схемаы одиночные

  Номер детали:SCT3080KW7TL

  Устанавливать тип:Поверхностный держатель

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:785 пФ при 800 В

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-3 MOSFETs обломока SCT3105KLHRC11 интегральной схемаы одиночные

  Номер детали:SCT3105KLHRC11

  Диссипация силы:134W

  Id Vgs (th) (Макс) @:5,6 В при 3,81 мА

  Контакт
• 

  Транзисторы SCT3017ALHRC11 TO-247-3 N-канала 650V 118A 427W через отверстие

  Номер детали:SCT3017ALHRC11

  Вес блока:6 g

  Типичное время задержки поворота-:64 нс

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFETs N-канала обломока SCT3022ALHRC11 650V 93A 339W IC одиночные

  Номер детали:SCT3022ALHRC11

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:133 нКл при 18 В

  Технология:SiCFET (кремниевый карбид)

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-4 MOSFETs SiC N-канала транзисторов SCT4026DRC15 750V 56A

  Номер детали:SCT4026DRC15

  Категория продукта:MOSFET

  Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C:56A (Tc)

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-3 обломока SCT3030KLHRC11 интегральной схемаы через отверстие

  Номер детали:SCT3030KLHRC11

  Пробивное напряжение Сток-источника:1,2 kV

  Напряжение тока порога Ворот-источника:2,7 v

  Контакт
• 

  Электронные транзисторы N-канала 1200V 17A интегральных схема SCT3160KLGC11

  Номер детали:SCT3160KLGC11

  Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:2,7 v

  Режим канала:Повышение

  Контакт
• 

  Транзисторы v 24A N-канала 1200 обломока SCT3105KLGC11 интегральной схемаы

  Номер детали:SCT3105KLGC11

  Rds на (Макс) @ id, Vgs:137 мОм при 7,6 А, 18 В

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:574 пФ при 800 В

  Контакт
• 

  Электронные транзисторы кремниевого карбида интегральных схема SCT4036KRHRC15

  Номер детали:SCT4036KRHRC15

  Стеките к напряжению тока источника (Vdss):1200 v

  Рабочая температура:175°C (TJ)

  Контакт
• 

  Держатель транзисторов TO-263-8 MOSFETs N-канала SCT4013DW7TL одиночный поверхностный

  Номер детали:SCT4013DW7TL

  Состояние продукта:Активный

  Vgs (Макс):+21В, -4В

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-4 MOSFETs N-канала обломока SCT4045DRC15 интегральной схемаы

  Номер детали:SCT4045DRC15

  Rds на - сопротивлении Сток-источника:45 mOhms

  Pd - диссипация силы:115 w

  Контакт
• 

  MOSFET 1200V 36mohm 40A SiC поколения MOSFET 4-ого транзисторов SCT4036KW7TL

  Номер детали:SCT4036KW7TL

  Категория продукта:MOSFET

  Полярность транзистора:N-канал

  Контакт