Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  продукты полупроводника транзисторов IPDQ60R065S7XTMA1 MOSFETs 30A дискретные

  Номер детали:IPDQ60R065S7XTMA1

  Конфигурация:одиночный

  Типичное время задержки поворота-:100 ns

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-4 MOSFETs кремниевого карбида обломока NVH4L060N090SC1 интегральной схемаы

  Номер детали:NVH4L060N090SC1

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:87 nC @ 15 v

  Id Vgs (th) (Макс) @:4.3V @ 5mA

  Контакт
• 

  Одиночный обломок интегральной схемаы транзисторов силы 1200V N-канала NVHL040N120SC1 SiC

  Номер детали:NVHL040N120SC1

  Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:4,3 В

  Pd - диссипация силы:348 w

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFETs поверхностного N-канала держателя BSC050N10NS5ATMA1 100V одиночные

  Номер детали:BSC050N10NS5ATMA1

  Диссипация силы:3W (животики), 136W (Tc)

  Рабочая температура:-55°C | 175°C (TJ)

  Контакт
• 

  Пакет MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF обломока IPT004N03LATMA1 интегральной схемаы

  Номер детали:IPT004N03LATMA1

  Тип FET:N-канал

  Технология:MOSFET (металлическая окись)

  Контакт
• 

  Тип 100V 90A держателя MOSFET силы N-канала транзистора IPD068N10N3GATMA1 поверхностный

  Номер детали:IPD068N10N3GATMA1

  Id Vgs (th) (Макс) @:3.5V @ 90µA

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:68 nC @ 10 v

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFETs поверхностного держателя P-канала 100V 38A AUIRF5210STRL одиночные

  Номер детали:AUIRF5210STRL

  Рабочая температура:-55°C | 150°C (TJ)

  Высота:2,3 mm

  Контакт
• 

  N-канал 650V 32A обломока IPW65R075CFD7AXKSA1 IC через транзисторы отверстия

  Номер детали:IPW65R075CFD7AXKSA1

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:68 nC @ 10 v

  Диссипация силы (Макс):171W (Tc)

  Контакт
• 

  обломок интегральной схемаы транзисторов IPT019N08N5ATMA1 держателя поверхности N-канала 80V

  Номер детали:IPT019N08N5ATMA1

  Rds на - сопротивлении Сток-источника:1,9 mOhms

  Время падения:17 ns

  Контакт
• 

  Транзисторы держателя поверхности N-канала обломока IPL60R225CFD7AUMA1 интегральной схемаы

  Номер детали:IPL60R225CFD7AUMA1

  Количество каналов:1 канал

  Vds - пробивное напряжение Сток-источника:600 v

  Контакт
• 

  Транзисторы P-канала 40V 180A обломока IPB180P04P403ATMA2 интегральной схемаы

  Номер детали:IPB180P04P403ATMA2

  Vgs (Макс):±20V

  Рабочая температура:-55°C | 175°C (TJ)

  Контакт
• 

  Обломок IC через транзисторы MOSFETs отверстия TO-247-3 IMW65R072M1HXKSA1 одиночные

  Номер детали:IMW65R072M1HXKSA1

  Диссипация силы (Макс):96W (Tc)

  Рабочая температура:-55°C | 150°C (TJ)

  Контакт