Номер детали:NTBG040N120SC1
Напряжение тока привода:20V
Vgs (Макс):+25V, -15V
Номер детали:FGHL75T65MQDTL4
Напряжение тока Collector−Emitter:1200V
Напряжение тока Gate−Emitter:±20V
Номер детали:FGH4L40T120LQD
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера:1200 В
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера:1,55 v
Номер детали:NTHL027N65S3HF
Напряжение тока привода:10V
Vgs (Макс):±30V
Номер детали:FGHL75T65LQDTL4
Тип БТИЗ:Остановка траншейного поля
Обязанность ворот:779 nC
Номер детали:FGHL40T65MQDT
Тип БТИЗ:Остановка траншейного поля
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):650 v
Номер детали:NTH4L022N120M3S
Устанавливать стиль:Через отверстие
Количество каналов:1 канал
Номер детали:AD5761RBCPZ
Напряжение тока - поставка, аналог:4.5V | 30V, -16.5V
Напряжение тока - поставка, цифров:1.7V | 5.5V
Номер детали:IS46TR16256BL-125KBLA1
Формат памяти:ДРАХМА
Организация памяти:256M x 16
Номер детали:ISL68127IRAZ
Тип выхода:Сигнал PWM
Количество выходов:7
Номер детали:LT8609IMSE#WTR
Количество выходов:1 выход
Ряд напряжения тока:3.0V к 42V
Номер детали:IAUT260N10S5N019
Технология:MOSFET (металлическая окись)
Диссипация силы (Макс):300W (Tc)