Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Высокоскоростная диафрагма поля зрения канавы транзисторов IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT 1200V 166A

  номер детали:IKQ100N120CH7XKSA1

  Серия:TrenchStop™

  Переключая энергия:6.7mJ (дальше), 2.52mJ ()

  Контакт
• 

  TO-247-3 через транзисторы диафрагмы поля зрения канавы отверстия IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT

  номер детали:IKQ120N120CS7XKSA1

  Тип БТИЗ:Остановка траншейного поля

  Состояние продукта:Активный

  Контакт
• 

  N-канал 700V обломока MSC015SMA070B IC через транзисторы отверстия TO-247-3

  Номер детали:MSC015SMA070B

  Тип FET:N-канал

  Напряжение тока привода:20V

  Контакт
• 

  MOSFET силы N-канала кремниевого карбида обломока MSC015SMA070S 700V интегральной схемаы

  Номер детали:MSC015SMA070S

  Полярность транзистора:N-канал

  Количество каналов:1 канал

  Контакт
• 

  держатель SOT-227 шасси MOSFET силы N-канала кремниевого карбида 1200V MSC080SMA120J

  Номер детали:MSC080SMA120J

  Тип FET:N-канал

  Технология:SiCFET (кремниевый карбид)

  Контакт
• 

  Кремниевый карбид MOSFETs TO-247-4 N-канала обломока MSC035SMA070B4 интегральной схемаы

  Номер детали:MSC035SMA070B4

  Входная емкость:2010pF (тип)

  Емкость выхода:247pF (тип)

  Контакт
• 

  N-канал обломока TO-247-3 интегральной схемаы транзисторов MSC035SMA070B MOSFETs

  Номер детали:MSC035SMA070B

  Рабочая температура (Макс):175°C (TJ)

  ID - Непрерывное течение стока:77 a

  Контакт
• 

  Транзисторы N-канала обломока TO-268-3 интегральной схемаы транзисторов MSC035SMA070S

  Номер детали:MSC035SMA070S

  Категория продукта:MOSFET

  Qg - обязанность ворот:5 a

  Контакт
• 

  Транзисторы N-канала обломока 700V SiCFET интегральной схемаы TO-247-3 MSC090SMA070B

  номер детали:MSC090SMA070B

  Полярность транзистора:N-канал

  Qg - обязанность ворот:38 nC

  Контакт
• 

  ICs откалывают транзисторы 1200 держателя N-канала v 35A 182W MSC080SMA120S поверхностные

  Номер детали:MSC080SMA120S

  Rds дальше:100 mOhms

  Минимальная рабочая температура:- 55 С

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-3 обломока MSC080SMA120B интегральной схемаы через отверстие

  Номер детали:MSC080SMA120B

  Пробивное напряжение Сток-источника:1,2 kV

  Конфигурация:Одиночный

  Контакт
• 

  1700V кремниевый карбид транзисторов TO-247-4 N-канала транзисторов MSC750SMA170B4

  Номер детали:MSC750SMA170B4

  Технология:SiCFET (кремниевый карбид)

  Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше):20V

  Контакт