Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Чип интегральной схемы IPT60R035CFD7 109nC 351W Мощность MOSFET транзистор HSOF8

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  BSC010N04LST интегральные микросхемы OptiMOSTM 5 N-канальный мощный MOSFET транзисторы TDSON-8

  Номер части:BSC010N04LST

  Полярность транзистора::N-канал

  Количество каналов::1 канал

  Контакт
• 

  IPW60R120P7 Чип интегральной схемы 600В N-канальный мощный MOSFET транзисторы TO-247-3

  Номер части:ИПВ60Р120П7

  Полярность транзистора::N-канал

  Количество каналов::1 канал

  Контакт
• 

  STGB19NC60KDT4 интегральный микросхема 20A 600V короткое замыкание прочные IGBT транзисторы

  Номер части:STGB19NC60KDT4

  Конфигурация::Одинокий

  Напряжение коллектора-излучателя VCEO Max::600 В

  Контакт
• 

  IKA15N60T микросхема 600V 15A IGBT транзисторы TO-220-3 пакет

  Номер части:ИКА15Н60Т

  Конфигурация::Одинокий

  Напряжение коллектора-излучателя VCEO Max::600 В

  Контакт
• 

  IPC100N04S5-1R9 Чип интегральной схемы 40V OptiMOSTM-5 Транзисторы MOSFET для автомобилей

  Номер части:ИПК100Н04С5-1Р9

  Технологии:Si

  Напряжение отхода к источнику (Vdss):40 В

  Контакт
• 

  IKW40N65H5 Чип интегральной схемы высокой скорости 650V 40A IGBT транзисторы TO-247-3

  Номер части:IKW40N65H5

  Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):650 v

  Ток - коллектор (Ic) (макс.):74 А

  Контакт
• 

  BSC0901NSI Чип интегральной схемы 30V 100A Транзисторы MOSFET с N-канальным питанием

  Номер части:BSC0901NSI

  Полярность транзистора::N-канал

  Количество каналов::1 канал

  Контакт
• 

  IGW30N60H3 интегральный микросхема 600V 30A одиночные IGBT транзисторы TO-247

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  IGW20N60H3 интегральный микросхема Чип высокой скорости 600В 20А IGBT транзисторы TO-247-3

  Номер части:IGW20N60H3

  Конфигурация::Одинокий

  Напряжение коллектора-излучателя VCEO Max::600 В

  Контакт
• 

  A2T27S020GNR1 Чип интегральной схемы N-канальный режим усиления RF мощность LDMOS транзисторы

  Номер части:A2T27S020GNR1

  Vds - Напряжение пробоя сток-исток::65 v

  Рабочая частота::от 400 МГц до 2,7 ГГц

  Контакт
• 

  STGWA40HP65FB2 интегральный микросхема 650V высокоскоростной HB2 серии IGBT транзисторы

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт