Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Датчики IC 8-SOIC течения канала обломока TMCS1107A4UQDRQ1 1 интегральной схемаы

  Номер детали:TMCS1107A4UQDRQ1

  Рабочая температура:-40°C ~ 125°C (ТА)

  Линеарности:±0.5%

  Контакт
• 

  Датчик электронного эффекта Холла интегральных схема TMCS1107A3BQDRQ1 настоящий

  Номер детали:TMCS1107A3BQDRQ1

  Напряжение тока - поставка:3V | 5.5V

  Поляризация:Двухнаправленный

  Контакт
• 

  Держатель IC настоящего датчика эффекта Холла канала TMCS1101A2UQDRQ1 1 поверхностный

  Номер детали:TMCS1101A2UQDRQ1

  Линеарности:±0.05%

  Выход:Ratiometric, напряжение тока

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов SCT3060AW7TL MOSFETs N-канала одиночный

  Номер детали:SCT3060AW7TL

  Стеките - напряжение тока источника:650 v

  Непрерывное течение стока:38 a

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFETs N-канала обломока SCT3160KW7TL 17A интегральной схемаы одиночные

  Номер детали:SCT3160KW7TL

  Устанавливать тип:Поверхностный держатель

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:42 nC @ 18 v

  Контакт
• 

  MOSFET TO-247-3 силы SiC N-канала ранга транзисторов SCT2160KEHRC11 автомобильный

  Номер детали:SCT2160KEHRC11

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:62 nC @ 18 v

  Vgs (Макс):+22V, -6V

  Контакт
• 

  Транзисторы держателя обломока SCT3030AW7TL TO-263-7 интегральной схемаы поверхностные

  Номер детали:SCT3030AW7TL

  Тип FET:N-канал

  Состояние продукта:Активный

  Контакт
• 

  MOSFET силы N-канала 750V 105A SCT4013DEC11 SiC до отверстие TO-247N

  Номер детали:SCT4013DEC11

  Технология:SiCFET (кремниевый карбид)

  Стеките к напряжению тока источника (Vdss):750 v

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-4 MOSFETs N-канала обломока SCT4045DRC15 интегральной схемаы

  Номер детали:SCT4045DRC15

  Rds на - сопротивлении Сток-источника:45 mOhms

  Pd - диссипация силы:115 w

  Контакт
• 

  MOSFET 1200V 36mohm 40A SiC поколения MOSFET 4-ого транзисторов SCT4036KW7TL

  Номер детали:SCT4036KW7TL

  Категория продукта:MOSFET

  Полярность транзистора:N-канал

  Контакт
• 

  Транзисторы полупроводника обломока SCT4062KRHRC15 интегральной схемаы дискретные

  Номер детали:SCT4062KRHRC15

  Технология:SiCFET (кремниевый карбид)

  Id - непрерывное течение стока:26 a

  Контакт
• 

  Дискретные транзисторы MOSFETs FETs продуктов полупроводника SCT3040KLGC11 одиночные

  Номер детали:SCT3040KLGC11

  Стеките к напряжению тока источника:1200 v

  Обязанность ворот:107 nC

  Контакт