Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Транзисторы держателя поверхности N-канала обломока IPL60R225CFD7AUMA1 интегральной схемаы

  Номер детали:IPL60R225CFD7AUMA1

  Количество каналов:1 канал

  Vds - пробивное напряжение Сток-источника:600 v

  Контакт
• 

  Пакет MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF обломока IPT004N03LATMA1 интегральной схемаы

  Номер детали:IPT004N03LATMA1

  Тип FET:N-канал

  Технология:MOSFET (металлическая окись)

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFETs поверхностного N-канала держателя BSC050N10NS5ATMA1 100V одиночные

  Номер детали:BSC050N10NS5ATMA1

  Диссипация силы:3W (животики), 136W (Tc)

  Рабочая температура:-55°C | 175°C (TJ)

  Контакт
• 

  Одиночный обломок интегральной схемаы транзисторов силы 1200V N-канала NVHL040N120SC1 SiC

  Номер детали:NVHL040N120SC1

  Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:4,3 В

  Pd - диссипация силы:348 w

  Контакт
• 

  Электронные транзисторы MOSFETs N-канала 8A интегральных схема IPP60R065S7XKSA1

  Номер детали:IPP60R065S7XKSA1

  Тип FET:N-канал

  Состояние продукта:Активный

  Контакт
• 

  Дискретные транзисторы MOSFETs продуктов полупроводника IPDQ60R040S7XTMA1

  Номер детали:IPDQ60R040S7XTMA1

  Технология:Si

  Каналы:1

  Контакт
• 

  Держатель электронных транзисторов интегральных схема IPDQ60R022S7XTMA1 поверхностный

  Номер детали:IPDQ60R022S7XTMA1

  Id Vgs (th) (Макс) @:4.5V @ 1.44mA

  Рабочая температура:-55°C | 150°C (TJ)

  Контакт
• 

  Транзисторы N-канала кремниевого карбида MOSFET обломока NTH4L020N090SC1 484W IC

  Номер детали:NTH4L020N090SC1

  Технология:SiCFET (кремниевый карбид)

  Тип FET:N-канал

  Контакт
• 

  Транзисторы N-канала держателя 8-HPSOF обломока NVBLS001N06C 60V 51A IC поверхностные

  Номер детали:NVBLS001N06C

  Id - непрерывное течение стока:422 a

  Максимальная рабочая температура:+ 175 c

  Контакт
• 

  Транзисторы N-канала 1200V 31A обломока NTHL080N120SC1A интегральной схемаы

  Номер детали:NTHL080N120SC1A

  Rds дальше:110mOhm

  Vgs:4.3V

  Контакт
• 

  Транзисторы N-канала 1200V 68A интегральной схемаы NVH4L022N120M3S обломока

  Номер детали:NVH4L022N120M3S

  Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C:68A (Tc)

  Напряжение тока привода:18V

  Контакт
• 

  Электронные транзисторы N-канала MOSFETs интегральных схема NTBLS1D1N08H

  Номер детали:NTBLS1D1N08H

  Rds на (Макс) @ id, Vgs:1.05mOhm @ 50A, 10V

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:11200 pF @ 40 v

  Контакт