Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  транзисторы FGH4L40T120LQD TO-247-4 1200V 306W одиночные IGBTs через отверстие

  Номер детали:FGH4L40T120LQD

  Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера:1200 В

  Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера:1,55 v

  Контакт
• 

  Поверхностные транзисторы MOSFETs FETs N-канала 60A держателя NTBG040N120SC1 одиночные

  Номер детали:NTBG040N120SC1

  Напряжение тока привода:20V

  Vgs (Макс):+25V, -15V

  Контакт
• 

  Обломок PG-HSOG-8-1 IC упаковывает транзисторы MOSFETs FETs IAUTN06S5N008G одиночные

  Номер детали:IAUTN06S5N008G

  Пакет:PG-HSOG-8-1

  Терминалы:8

  Контакт
• 

  484-BGA вентильная матрица IC поля пакета XC7S75-1FGGA484C Spartan-7 Programmable

  Номер детали:XC7S75-1FGGA484C

  Лаборатории:6000

  Элементы логики/клетки:76800

  Контакт
• 

  66kHz TO-3P-5L через Flyback конвертера конвертеров FS7M0880YDTU DC AC отверстия автономный

  Номер детали:FS7M0880YDTU

  изоляция выхода:Изолированный

  Внутренние переключатели:УТВЕРДИТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

  Контакт
• 

  ИС Чип MSC015SMA070 Транзисторы N-Channel 700V 131A 400W Through Hole TO-247-3

  Номер детали:MSC015SMA070

  Тип FET:N-канал

  Технология:SiCFET (кремниевый карбид)

  Контакт
• 

  TO-247-4 через транзисторы N-канала отверстия MSC080SMA120 1200V 37A одиночные

  Номер детали:MSC080SMA120

  Рабочая температура:-55°C | 175°C (TJ)

  Диссипация силы:200W (Tc)

  Контакт
• 

  1200V диод TO-247-3 Schottky кремниевого карбида спасения диода MSC050SDA120B нул

  Номер детали:MSC050SDA120B

  Пропускное напряжение (ЕСЛИ = 50 a, TJ = °C 25), то - Макс:1.8V

  Напряжение тока - переднее (Vf) (Макс) @ если:1,8 V @ 50 A

  Контакт
• 

  Поверхностные транзисторы N-канала пакета MSC180SMA120 21A 125W держателя TO-268

  Номер детали:MSC180SMA120

  Обязанность ворот:34 nC @ 20 v

  Rds дальше:225mOhm @ 8A, 20V

  Контакт
• 

  Транзисторы MSC400SMA330 TO-247-4 N-канала кремниевого карбида через отверстие

  Номер детали:MSC400SMA330

  Непрерывное течение стока:11 a

  Напряжение тока порога Ворот-источника:2,97 v

  Контакт
• 

  1 MOSFET силы транзисторов TO-247-4 кремниевого карбида N-канала MSC060SMA070B4 700V

  Номер детали:MSC060SMA070B4

  Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:1.9V

  Qg - обязанность ворот:56 nC

  Контакт
• 

  Транзистор соединения TO-247-4 кремниевого карбида MOSFET IMYH200R012M1H 2000V N-канала

  Номер детали:IMYH200R012M1H

  Серия:CoolSiC™

  Vgs (Макс):+20V, -7V

  Контакт