Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  AD8692ARMZ Чип интегральной схемы Низкозатратные Низкошумные операционные усилители CMOS RRO

  Номер части:АД8692АРМЗ

  Количество каналов::2 канала

  GBP - Продукт ширины полосы частот увеличения::10 МГц

  Контакт
• 

  LM46001PWPR интегральная схема чип 1A синхронный преобразователь напряжения с понижающим уровнем напряжения

  Номер части:LM46001PWPR

  Выходное напряжение::1 v до 28 v

  Выходной ток::1 а

  Контакт
• 

  APGA1602SEC/E/KA интегральная схема чип правоугольный SMD чип светодиодная лампа 624nm Красный светодиодный индикатор

  Номер части:APGA1602SEC/E/KA

  Длина волны/температура цвета:624 нм

  Рейтинг питания:48 МВт

  Контакт
• 

  LT3980EDE Интегральная схема чипа понижающего импульсного регулятора 2,4 МГц с током покоя 85 мкА

  Номер части:LT3980EDE

  Выходное напряжение::790 мВ до 57,42 В

  Выходной ток::2 А

  Контакт
• 

  AO7800 Чип интегральной схемы 20В Двухканальный N-MOSFET Транзисторы Низковольтные MOSFET

  Номер части:AO7800

  Конфигурация:N-канал 2 (двойной)

  Напряжение отхода к источнику (Vdss):20 В

  Контакт
• 

  C1005X7S2A103KT000F Интегральная микросхема 0402 дюйма Многослойные керамические чип-конденсаторы

  Номер части:C1005X7S2A103KT000F

  Код случая - внутри:0402

  Емкость:10000 пФ

  Контакт
• 

  APT1608QWF/D Integrated Circuit Chip White LEDs 1.6X0.8MM SMD Chip LED Lamp (Лампа с светодиодной лампой)

  Номер части:APT1608QWF/D.

  Тип:белые светодиоды

  Цвет освещения:Белый

  Контакт
• 

  GRM21BZ7YA475KE15L интегральная схема чип 4.7μF чип многослойные керамические конденсаторы

  Номер части:GRM21BZ7YA475KE15L

  Емкость:4.7 мкФ

  Напряжение - оценка:35 В.

  Контакт
• 

  SM3319NAQAC-TRG интегральный микросхема чип N-канальный режим усиления MOSFET транзистор

  Номер части:SM3319NAQAC-TRG

  Упаковка:DFN-8

  Работая диапазон температур соединения:От 55 до 150 ℃

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы APW8743CQBI-TRG высоковольтный переключатель двойных каналов

  Номер части:APW8743CQBI-TRG

  Широкий ряд ввода напряжения:5,0 В до 22 В.

  Частота переключения:500 кГц

  Контакт
• 

  SIZF918DT-T1-GE3 Интегральная микросхема с двумя N-канальными 30В MOSFET и диодом Шоттки

  Номер части:SIZF918DT-T1-GE3

  Vds - Напряжение пробоя сток-исток::30 В

  Id — непрерывный ток стока::40 а, 60 а

  Контакт
• 

  LTV-817-B-G интегральная схема микросхема фотосцепление DIP4 транзистора выходные оптосцепления

  Номер части:LTV-817-BG

  Количество каналов:1 канал

  Изоляционное напряжение:5000 Vrms

  Контакт