Китай Автомобильные модули IGBT

• 

  инвертор диафрагмы поля зрения канавы модуля FP100R12N2T7B11BPSA1 1200V 100A IGBT трехфазный

  Номер детали:FP100R12N2T7B11BPSA1

  Серия:EconoPIM™ 2

  Тип БТИЗ:Остановка траншейного поля

  Контакт
• 

  кремниевый карбид модулей 1200V 2N-Channel FF6MR12W2M1B11BOMA1 автомобильный IGBT

  Номер детали:FF6MR12W2M1B11BOMA1

  Устанавливать тип:Крепление шасси

  Рабочая температура (минута):-40°C (TJ)

  Контакт
• 

  модуль MOSFET модулей FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel 25A автомобильный IGBT

  Номер детали:FS45MR12W1M1B11BOMA1

  Стеките к напряжению тока источника (Vdss):1200В (1,2кВ)

  Конфигурация:N-канал 6 (трехфазный мост)

  Контакт
• 

  Модули транзистора соединения DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 кремниевого карбида автомобильные IGBT

  Номер детали:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

  Тип FET:N-канал

  Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C:45A (Tj)

  Контакт
• 

  Автомобильный модуль кремниевого карбида модулей DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel IGBT

  Номер детали:DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

  Технология:Кремниевый карбид (SiC)

  Стеките к напряжению тока источника (Vdss):1200V

  Контакт
• 

  модуль модулей 60A модулей DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 автомобильный IGBT 2000V IGBT

  Номер детали:DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

  Напряжение тока теста изоляции:3.2kV

  Случайный модуль индуктивности (тип):14nH

  Контакт
• 

  Автомобильный MOSFET CoolSiC кремниевого карбида модулей DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V IGBT

  Номер детали:DF11MR12W1M1PB11BPSA1

  Серия:EasyPACK™

  Рабочая температура (Макс):150°C (TJ)

  Контакт
• 

  модули MOSFET кремниевого карбида модулей DF23MR12W1M1B11BPSA1 20mW автомобильные IGBT

  Номер детали:DF23MR12W1M1B11BPSA1

  VDSS:1200V

  Nom ID:25A

  Контакт
• 

  Автомобильные модули транзисторов IGBT модулей FF600R12ME4WB73BPSA1 600A IGBT

  Номер детали:FF600R12ME4WB73BPSA1

  Входная емкость (Cies) @ Vce:37 nF @ 25 v

  Входной сигнал:Стандарт

  Контакт
• 

  Модули транзисторов IGBT держателя FS150R12N2T7B15BPSA1 1200V 150A шасси

  Номер детали:FS150R12N2T7B15BPSA1

  Настоящий - выключение сборника:µA 12

  Минимальная рабочая температура:- 40 c

  Контакт
• 

  Модули 20mW 2N-Channel кремниевого карбида DF23MR12W1M1PB11BPSA1 автомобильные IGBT

  Номер детали:DF23MR12W1M1PB11BPSA1

  Технология:Кремниевый карбид (SiC)

  Стеките к напряжению тока источника (Vdss):1200В (1,2кВ)

  Контакт
• 

  Автомобильные модули FP200R12N3T7B11BPSA1 IGBT 20 модулей держателя IGBT шасси mW

  Номер детали:FP200R12N3T7B11BPSA1

  Сила - Макс:20 mW

  VCEO Макс:1200 В

  Контакт