Китай Автомобильные модули IGBT

• 

  Автомобильные модули транзисторов IGBT модулей FS770R08A6P2B 750V 450A 654W IGBT

  Номер детали:FS770R08A6P2B

  Входная емкость (Cies) @ Vce:80 nF @ 50 v

  Рабочая температура:-40°C | 150°C (TJ)

  Контакт
• 

  инвертор модулей 650V модулей FS400R07A1E3 автомобильный IGBT 1250W IGBT трехфазный

  Номер детали:FS400R07A1E3

  Настоящий - сборник (Ic) (Макс):500 a

  Входная емкость (Cies) @ Vce:26000 pF @ 25 v

  Контакт
• 

  Инвертор автомобильной диафрагмы поля зрения канавы модулей FS660R08A6P2FLB IGBT трехфазный

  Номер детали:FS660R08A6P2FLB

  Сила - Макс:W 1053

  Настоящий - выключение сборника:мамы 1

  Контакт
• 

  Модули держателя автомобильные IGBT шасси транзисторов FS05MR12A6MA1B 1.2kV 200A

  Номер детали:FS05MR12A6MA1B

  Пакет:Модуль

  Технология:Кремниевый карбид (SiC)

  Контакт
• 

  Автомобильный держатель шасси массива 1.2kV 400A 20mW Mosfet модулей FS03MR12A6MA1LB IGBT

  Номер детали:FS03MR12A6MA1LB

  Конфигурация:Sixpack

  ID:400A

  Контакт
• 

  1200V держатель шасси модулей 20mW MOSFET кремниевого карбида транзисторов FS03MR12A6MA1B

  Номер детали:FS03MR12A6MA1B

  СЕРИЯ:HybridPACK™

  Технология:Кремниевый карбид (SiC)

  Контакт
• 

  Автомобильные модули держателя IGBT шасси модулей FS380R12A6T4LB 870W IGBT

  Номер детали:FS380R12A6T4LB

  Конфигурация:3 независимых

  Состояние продукта:Активный

  Контакт
• 

  Автомобильный модуль инвертора 400A IGBT модулей FS400R07A3E3 650V IGBT трехфазный

  Номер детали:FS400R07A3E3

  VCES:700 v

  Tvj, op:150°C

  Контакт
• 

  инвертор диафрагмы поля зрения канавы модуля 1200V 380A FS380R12A6T4B IGBT трехфазный

  Номер детали:FS380R12A6T4B

  Тип БТИЗ:Остановка траншейного поля

  Конфигурация:Трехфазный инвертор

  Контакт
• 

  Инвертор автомобильной диафрагмы поля зрения канавы модуля модулей FS820R08A6P2B IGBT IGBT трехфазный

  Номер детали:FS820R08A6P2B

  Преграждая напряжение тока:750V

  Изоляция DC 1sec:4.2kV

  Контакт
• 

  Автомобильные IGBT-модули A2U12M12W2-F2 3-уровневая топология 1200V SiC Power MOSFET Power Module

  номер части:A2U12M12W2-F2

  Упаковка:Модуль

  Входная емкость (Cies) @ Vce:7 нФ при 800 В

  Контакт
• 

  Модуль питания Четырехкомпонентная топология A2F12M12W2-F1 SiC Power MOSFET IGBT Module Full Bridge

  номер части:A2F12M12W2-F1

  Vr - обратное напряжение:1200 В

  Vgs - напряжение затвор-исток:от -10 В до 22 В

  Контакт