Китай Микросхема памяти

• 

  IC памяти Чип SDINBDG4-16G-ZA2 2.7V до 3.6V Автомобильный eMMC Flash Memory IC

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  IC памяти Chip SFEM010GB2ED1TO-A-5E-11P-STD 200MHz 80Gbit eMMC IC памяти BGA153

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  IC памяти Chip SFEM128GB2ED1TO-A-7G-111-STD 1Tbit eMMC FLASH NAND IC памяти

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  IC памяти Chip SFEM016GB1ED1TO-I-5E-311-STD 200MHz 128Gbit eMMC IC памяти BGA100

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  IC памяти Chip S76HS512TC0BHB013 64 Мбит оперативная память HyperBus 200 МГц IC памяти

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  НИ обломок пакета MT25QL01GBBB8ESF-0SIT IC IC 1Gbit 133MHz 16-SOIC памяти

  Номер части:MT25QL01GBBB8ESF-0SIT

  Штабелированный прибор:2 512Mb умирают

  Напряжение:2.7-3.6V

  Контакт
• 

  Вспышка держателя MT25QL256ABA8ESF-0AAT обломока интегральной схемаы поверхностные НИ память IC

  Номер части:MT25QL256ABA8ESF-0AAT

  Частота:133 МГц

  Время:Синхронный

  Контакт
• 

  MT62F2G64D8CZ-023 AUT: Память LPDDR5 IC обломока 128Gbit интегральной схемаы c автомобильная

  Номер части:MT62F2G64D8CZ-023 AUT: C

  Формат памяти:DRAM

  Пакет / чемодан:TFBGA

  Контакт
• 

  Держатель поверхности IC памяти I/O Двойн-квадрацикла обломока MT25TL01GBBB8ESF-0AAT 3V IC

  Номер части:MT25TL01GBBB8ESF-0AAT

  Штабелированный прибор:2 512Mb умирают

  СИЛ:133 МГц

  Контакт
• 

  Поверхностная ВСПЫШКА держателя MT28EW512ABA1HPC-0SIT 512Mbit параллельная - НИ память IC

  Номер части:MT28EW512ABA1HPC-0SIT

  Тип синхронизации:Асинхронные

  Тип продукции:Никакой вспышки

  Контакт
• 

  НИ держатель IC S70GL02GT12FHIV10 2Gbit параллельный 120ns 64-FBGA памяти поверхностный

  Номер части:S70GL02GT12FHIV10

  Начальное время выборки:25 нс

  Плотность:MBit 2048

  Контакт
• 

  обломок интегральной схемаы IC MT28EW128ABA1LJS-0SIT параллели 128Mbit НИ памяти

  Номер части:MT28EW128ABA1LJS-0SIT

  Время доступа:95 ns

  Операционная температура:-40 °C ~ 85 °C (TA)

  Контакт