Китай Микросхема памяти

• 

  MT29F4G08ABBFAH4-IT: Обломок интегральной схемаы IC 63-VFBGA параллельного запоминающего устройства f 4Gbit

  Номер части:MT29F4G08ABBFAH4-IT: F

  Тип памяти:Нелетающие

  Операционная температура:-40 °C ~ 85 °C (TA)

  Контакт
• 

  Обломок MT29F8G08ABACAH4-IT интегральной схемаы: Флэш-память IC 63-VFBGA C 8Gbit NAND

  Номер части:MT29F8G08ABACAH4-IT: C

  Организация памяти:1G х 8

  Ряд рабочего потенциала – VCC:2.7V-3.6V

  Контакт
• 

  флэш-память MT29F64G08AECABH1-10ITZ 64Gbit NAND: Обломок 100-VBGA интегральной схемаы

  Номер части:MT29F64G08AECABH1-10ITZ:

  Частота работы часов:100 МГц

  Ход часов:10ns (ГДР)

  Контакт
• 

  Обломок 24-TBGA интегральной схемаы IC MT35XU512ABA2G12-0AAT флэш-памяти Xccela

  Номер части:MT35XU512ABA2G12-0AAT

  Интерфейс памяти:Автобус Xccela

  Напряжение - питание:1.7V | 2V

  Контакт
• 

  Серийная флэш-память MT29F1G01ABAFDSF-AAT NAND: Обломок интегральной схемаы f 16-SOIC

  Номер части:MT29F1G01ABAFDSF-AAT: F

  Организация памяти:1G x 1

  Течение поставки - Макс:35 мам

  Контакт
• 

  MT29F2G01ABAGD12-AAT: Обломок интегральной схемаы микросхемы памяти 24-TBGA G 2Gbit SPI

  Номер части:MT29F2G01ABAGD12-AAT: G

  Утверждение набора микросхем:Никаких

  Плотность:2GB

  Контакт
• 

  4Gbit параллель MT29F4G16ABBDAH4-IT: Обломоки обломока 63-VFBGA IC флэш-памяти d NAND

  Номер части:MT29F4G16ABBDAH4-IT: D

  Размер:9mm x 11mm

  Технологии:Flash - NAND

  Контакт
• 

  MT29F2G16ABBEAH4-AAT: Обломок интегральной схемаы IC 63-VFBGA параллельного запоминающего устройства e 2Gbit

  Номер части:MT29F2G16ABBEAH4-AAT: E

  Организация:128 m x 16

  Технологии:Flash - NAND

  Контакт
• 

  флэш-память IC MT29F8G08ABACAWP-IT 8Gbit NAND: Обломок интегральной схемаы c 48-TFSOP

  Номер части:MT29F8G08ABACAWP-IT: C

  Пакет / чемодан:TSOP-48

  Размер памяти:8 Gbit

  Контакт
• 

  Обломок MT29F2G08ABAEAH4-AITX интегральной схемаы: Микросхемы памяти NAND ВСПЫШКИ E 63-VFBGA

  Номер части:MT29F2G08ABAEAH4-AITX: E

  Течение поставки - Макс:35 мам

  Подача напряжения - минута:2,7 v

  Контакт
• 

  Обломок MT29F2G08ABAEAWP-IT интегральной схемаы: Обломок параллельного запоминающего устройства e 48-TSOP 2Gbit

  Номер части:MT29F2G08ABEAWP-IT:E

  Пакет / чемодан:48-TFSOP (0,724", 18,40 мм в ширину)

  Организация памяти:256 м х 8

  Контакт
• 

  MT29F4G08ABBFAH4-AIT: Обломок интегральной схемаы IC 63-VFBGA параллельного запоминающего устройства f 4Gbit

  Номер части:MT29F4G08ABBFAH4-AIT: F

  Страница программы:240µs (ТИП) с ECC на-плашки позволило

  Количество самолетов:1

  Контакт