Китай Микросхема памяти

• 

  128Mbit обломок 24-VBGA псевдо SRAM интегральной схемаы микросхемы памяти S70KS1282GABHV023

  Номер части:S70KS1282GABHV023

  Поддержка интерфейса:1,8 V/3,0 V

  Рабочая температура (минута):-40°C (ЖИВОТИКИ)

  Контакт
• 

  ICs откалывают память IC держателя S27KS0642GABHB023 200 MHz 35 ns 24-FBGA поверхностную

  Номер части:S27KS0642GABHB023

  Технологии:ДРАХМА 38-nm

  DRAM:38-nm

  Контакт
• 

  Обломок микросхемы памяти VBGA24 IC обломока S70KL1282GABHB030 128Mbit интегральной схемаы

  Номер части:S70KL1282GABHB030

  В оболочке разрыванные длины:128 байт (64 часа)

  Линейный взрыв:MB 64

  Контакт
• 

  Память IC I/O 200MHz интегральной схемаы S80KS2563GABHI023 256Mbit SPI обломока восьмиштырьковая

  Номер части:S80KS2563GABHI023

  Программа:50

  SDR прочитал:50 МГц

  Контакт
• 

  обломок интегральной схемаы IC S80KS5122GABHI020 FBGA24 памяти 200MHz псевдо SRAM

  Номер части:S80KS5122GABHI020

  Одно-законченные часы (CK):11 сигнал автобуса

  Технологии:ДРАХМА 25nm

  Контакт
• 

  Поверхностная память IC пакета S26HS512TGABHV003 512Mbit HyperBus держателя 24-VBGA

  Номер части:S26HS512TGABHV003

  Влага чувствительная:Да, да.

  Напишите время цикла:1.7ms

  Контакт
• 

  Память IC пакета держателя 24-VBGA обломока S26HS01GTGABHV020 интегральной схемаы поверхностная

  Номер части:S26HS01GTGABHV020

  Память:1Gbit

  Плотность:MBit 1024

  Контакт
• 

  Микросхема памяти обломока 64Mbit HyperBus интегральной схемаы IC S27KL0642GABHM023 памяти

  Номер части:S27KL0642GABHM023

  Максимальный ход часов:200 МГц

  Максимальное время выборки (tACC):35 нс

  Контакт
• 

  микросхема памяти 200MHz обломока S27KS0642GABHM020 псевдо SRAM интегральной схемаы 64Mbit

  Номер части:S27KS0642GABHM020

  Технологии:ДРАХМА 38-nm

  Шина данных:8-разрядная шина данных

  Контакт
• 

  микросхема памяти обломока FBGA24 интегральной схемаы IC S80KS5123GABHV023 памяти 512Mbit

  Номер части:S80KS5123GABHV023

  Интерфейс:интерфейс xSPI (восьмиштырьковый)

  Температурная амплитуда рабочей температуры - промышленная (я):– °C 40 к °C +85

  Контакт
• 

  Память IC интегральной схемаы S70KS1282GABHM023 128Mbit HyperBus 35ns обломока

  Номер части:S70KS1282GABHM023

  Интерфейс памяти:HyperBus

  Технологии:Псевдо SRAM

  Контакт
• 

  Память IC держателя S80KS2563GABHI020 32MB 200MHz псевдо SRAM обломока IC поверхностная

  Номер части:S80KS2563GABHI020

  В оболочке разрыванные длины:16 байт

  Промышленная положительная величина:-40°C к +105°C

  Контакт