Китай Микросхема памяти

• 

  S70KL1282GABHB020 IC откалывает держатель IC 24-FBGA памяти 128Mbit псевдо SRAM поверхностный

  Номер части:S70KL1282GABHB020

  Напишите время цикла - слово, страница:35ns

  Поддержка интерфейса:1,8 V/3,0 V

  Контакт
• 

  Псевдо пакет IC 64Mbit HyperBus S27KL0642GABHI030 24-FBGA памяти SRAM

  Номер части:S27KL0642GABHI030

  Технологии:PSRAM (псевдо SRAM)

  Тип памяти:Летучие

  Контакт
• 

  S80KS2563GABHM023 ICs откалывают память IC 256MBit 1.8V автомобильную PSRAM в 24 FBGA

  Номер части:S80KS2563GABHM023

  Категория продукции:DRAM

  Технологии:PSRAM (псевдо SRAM)

  Контакт
• 

  SRAM - Одновременная память IC 36Mbit параллельное 133MHz SDR CY7C1441KV33-133AXI

  Номер части:CY7C1441KV33-133AXI

  Время доступа:6,5 ns

  Напряжение - питание:3.135V | 3.6V

  Контакт
• 

  Электронная память IC интегральных схема S70KS1283GABHB020 200MHz 35ns PSRAM

  Номер части:S70KS1283GABHB020

  Сигналы автобуса:11

  Шина данных:8-битный

  Контакт
• 

  Асинхронное MT29F2G08ABAGAWP-ITE: Память IC 48-TFSOP NAND ВСПЫШКИ g 2Gbit параллельная

  Номер части:MT29F2G08ABAGAWP-ITE: G

  Случайное чтение:25µs

  Программа страницы:300µs (ТИП)

  Контакт
• 

  Обломок MT29F2G01ABAGDWB-IT интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти g асинхронные NAND

  Номер части:MT29F2G01ABAGDWB-IT: G

  Течение поставки - Макс:35 мам

  Размер:8mm x 6mm

  Контакт
• 

  TSOP-48 MT29F1G08ABAEAWP-IT: Обломок 35mA параллельного запоминающего устройства e 1Gbit асинхронный

  Номер части:MT29F1G08ABAEAWP-IT: E

  Размер прибора:1Gb: 1024 блока

  Размер страницы x16:1056 слов (1024 + 32 слова)

  Контакт
• 

  2Gbit параллель MT29F2G08ABAGAH4-IT: Флэш-память IC g 63-VFBGA асинхронная NAND

  Номер части:MT29F2G08ABAGAH4-IT: G

  Тип памяти:Нелетающие

  Размер памяти:2Gbit

  Контакт
• 

  4Gbit параллельное запоминающее устройство IC MT29F4G08ABAEAWP-IT: Микросхема памяти 48-TFSOP e асинхронная

  Номер части:MT29F4G08ABAEAWP-IT: E

  Напряжение тока - поставка (Макс):3.6В

  Напряжение тока - поставка (минута):2.7V

  Контакт
• 

  Обломок MT29F32G08ABAAAWP-ITZ интегральной схемаы: Асинхронная флэш-память IC NAND

  Номер части:MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:

  tRC/tWC:20 нс (MIN)

  Прочитанная страница:35µs (МАКС)

  Контакт
• 

  IC памяти Чип CY7C1051H30-10BVXI 10ns Асинхронная SRAM 8Mbit Параллельная память IC

  Количество мин заказа:10

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Время доставки:3-5 рабочих дней

  Контакт