Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Чип интегральной схемы ASL4501SHNY 4 Выходный светодиодный драйвер IC 32-HVQFN

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы ASL1500SHNY Усиление затемнения светодиодного драйвера IC 32-HVQFN

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  MOSFET кремниевого карбида N-канала обломока IMBG65R022M1H 650V интегральной схемаы

  Номер детали:IMBG65R022M1H

  Серия:CoolSiC™

  Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:5,7 В

  Контакт
• 

  Обломок TO-247-3 интегральной схемаы MOSFET IMW120R350M1H кремниевого карбида канавы

  Номер детали:IMW120R350M1H

  Устанавливать тип:Через отверстие

  Пакет прибора поставщика:TO-247-3

  Контакт
• 

  Аналог обломока 16-LFCSP 16Bit интегральной схемаы AD7380BCPZ-RL7 к цифровому преобразователю

  Номер детали:AD7380BCPZ-RL7

  Сетноая-аналогов подача напряжения:3 v до 3,6 v

  SNR - Отношение сигнал-шум:dB 92,5

  Контакт
• 

  Аналог обломока AD7381BCPZ-RL7 интегральной схемаы 4MSPS к цифровому преобразователю WFQFN16

  Номер детали:AD7381BCPZ-RL7

  Интерфейс данных:Сериал

  Конфигурация:ГРУЗИТЬ И РЕГУЛЯЦИЯ - ADC

  Контакт
• 

  аналог 14Bit к обломоку WFQFN16 интегральной схемаы цифрового преобразователя AD7381BCPZ-RL

  Номер детали:AD7381BCPZ-RL

  Напряжение тока - поставка, аналог:3V | 3.6V

  Напряжение тока - поставка, цифров:1.65V | 3.6V

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-3 N-канала обломока IMW65R107M1H интегральной схемаы через отверстие

  Номер детали:IMW65R107M1H

  Виртуальная температура соединения:-55- °C 175

  Напряжение тока Сток-источника:1200 В

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-3 SiCFET N-канала обломока IMW120R220M1H 220mΩ интегральной схемаы

  Номер детали:IMW120R220M1H

  Сисс:289 pF

  Косс:16 pF

  Контакт
• 

  Транзисторы полупроводника MOSFETs обломока IMBF170R650M1 интегральной схемаы дискретные

  Номер детали:IMBF170R650M1

  Transconductance:0,65 s

  Внутреннее сопротивление вентильного провода:25,4 Ω

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов IMW65R027M1H TO-247-3 MOSFETs силы канавы SiC

  Номер детали:IMW65R027M1H

  Серия:CoolSIC™ M1

  Тип FET:N-канал

  Контакт
• 

  Транзисторы N-канала кремниевого карбида TO-247-4 обломока IMZA65R039M1H интегральной схемаы

  Номер детали:IMZA65R039M1H

  Пакет/случай:TO-247-4

  Полярность транзистора:N-канал

  Контакт