Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Микроконтроллеры обломока ATSAMD20E14A-MU интегральной схемаы УМНЫЕ основанные на Рук

  Номер детали:ATSAMD20E14A-MU

  Процессор ядра:ARM® Cortex®-M0+

  Размер ядра:трицатидвухразрядное Одно-ядр

  Контакт
• 

  Обломок 650V TO-263-8 интегральной схемаы транзисторов IPBE65R115CFD7A MOSFETs канала n

  Номер детали:IPBE65R115CFD7A

  Vgs (Макс):±20V

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:1950 pF @ 400 v

  Контакт
• 

  Микроконтроллер IC Одно-ядра 48MHz 64KB обломока ATSAMD20E16A-AU интегральной схемаы трицатидвухразрядный

  Номер детали:ATSAMD20E16A-AU

  Номер I/O:26

  Размер запоминающего устройства программы:64KB (64K x 8)

  Контакт
• 

  обломок обломока 44VQFN IC микроконтроллера обломока ATMEGA32U4-MU 8Bit интегральной схемаы 16MHz

  Номер детали:ATMEGA32U4-MU

  Общецелевые работая регистры:32 x 8 общецелевых работая регистра

  Объем:До 16 MIPS объема на 16MHz

  Контакт
• 

  Обломок LT6654AIS6-5 интегральной схемаы поставляет высокий привод IC SOT-23-6 выхода малошумный

  Номер детали:LT6654AIS6-5

  малошумный:1.6ppmP-P (0.1Hz к 10Hz)

  Широкая поставка:Ряд к 36V

  Контакт
• 

  Аналого-цифровой преобразователь обломока ADS1258IRTCR 16-Channel 24-Bit интегральной схемаы

  Номер детали:ADS1258IRTCR

  Количество битов:24

  Частота отсчетов (в секунду):125k

  Контакт
• 

  Обломок регуляторов FCBGA224 локальных сетей обломока AQC113-B1-I 10Gbps PCIe интегральной схемаы

  Номер детали:AQC113-B1-I

  Gen 3:Gen 3 x2

  Gen 2:Gen 2 x2

  Контакт
• 

  MOSFET силы кремниевого карбида обломока SCT1000N170AG HiP247 интегральной схемаы SIC

  Номер детали:SCT1000N170AG

  Диссипация полной силы на TC = °C 25:96W

  Диапазон температур хранения:-55 °C к °C 200

  Контакт
• 

  Обломок обломока HU3PAK 1200V 63mΩ IC интегральной схемаы MOSFETs SCT070HU120G3AG SIC SIC

  Номер детали:SCT070HU120G3AG

  Напряжение тока Сток-источника:1200V

  (Пульсированное) течение стока:100A

  Контакт
• 

  MOSFET силы кремниевого карбида ² PAK-7 обломока SCT070H120G3AG h интегральной схемаы 30A SIC

  Номер детали:SCT070H120G3AG

  Напряжение тока Сток-источника:1200V

  Напряжение тока Ворот-источника:-10V к 22V

  Контакт
• 

  Обломок обломока HU3PAK IC интегральной схемаы MOSFET SCT040HU65G3AG SIC силы кремниевого карбида

  Номер детали:SCT040HU65G3AG

  Пакет:HU3PAK

  минута пробивного напряжения Сток-источника (VGS = 0 v, ID = мамы 1):650 v

  Контакт
• 

  Транзисторы ² PAK-7 широкие Bandgap h MOSFETs обломока SCT040H65G3AG SiC интегральной схемаы SIC

  Номер детали:SCT040H65G3AG

  Тип энергии поворота- переключая (RG=15Ω, VGS=-5V к 18V):67µJ

  Пакет:² PAK-7 H

  Контакт