Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  транзисторы TO-263-8 MOSFET N-канала MOSFET IMBG120R045M1H канавы 1200V SiC

  Номер детали:IMBG120R045M1H

  Короткое замыкание выдерживает время:3 µs

  Напряжение тока ворот поворота-:0В

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET канавы обломока IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V SiC интегральной схемаы

  Номер детали:IMBG120R060M1H

  Пульсированное течение стока:94A

  Диссипация силы, TC = 25°C:181W

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET канавы TO-263-8 кремниевого карбида N-канала IMBG120R220M1H 1200V

  Номер детали:IMBG120R220M1H

  Время падения:11 ns

  Передний Transconductance - минута:1,9 s

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET силы N-канала обломока MSC025SMA120J интегральной схемаы

  Номер детали:MSC025SMA120J

  Минимальная рабочая температура:- 55 c

  Максимальная рабочая температура:+ 175 c

  Контакт
• 

  N-канал 1200V 19A 94W транзисторов IMW120R140M1H MOSFET кремниевого карбида через отверстие

  Номер детали:IMW120R140M1H

  Рабочая температура:-55°C | 175°C (TJ)

  Полярность:N

  Контакт
• 

  ICs откалывают транзисторы MOSFET N-канала кремниевого карбида v MSC025SMA120S 1200

  Номер детали:MSC025SMA120S

  Тип FET:N-канал

  Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C:89A (Tc)

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-4 MOSFET обломока MSC180SMA120B 1200V SiC интегральной схемаы

  Номер детали:MSC180SMA120B

  Полярность транзистора:N-канал

  Устанавливать стиль:Через отверстие

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-268-3 MOSFET обломока MSC090SMA070S 700V SiC интегральной схемаы

  номер детали:MSC090SMA070S

  ID - Непрерывное течение стока:25 А

  сопротивление Соединени-к-случая термальное (тип):1.10W/°C

  Контакт
• 

  Обломоки транзисторов TO-247-4 IC MOSFET SiC N-канала кремниевого карбида MSC015SMA070B4

  Номер детали:MSC015SMA070B4

  Пульсированное течение стока:350A

  Линейный коэффициент снижения номинальной мощности:3.03W/°C

  Контакт
• 

  Транзисторы 650V MOSFET ранга транзисторов IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7 автомобильные

  Номер детали:IPBE65R075CFD7AATMA1

  Rds на - сопротивлении Сток-источника:139 mOhms

  Vgs - напряжение тока Ворот-источника:- 20 V, + 20 V

  Контакт
• 

  Транзисторы 8-PowerTDFN MOSFET N-канала обломока BSZ036NE2LSATMA1 интегральной схемаы

  Номер детали:BSZ036NE2LSATMA1

  Максимальная рабочая температура:+ 150 c

  Pd - диссипация силы:37 w

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов TO-263-8 MOSFET N-канала IMBG65R030M1HXTMA1

  Номер детали:IMBG65R030M1HXTMA1

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:1643 pF @ 400 v

  Диссипация силы (Макс):234W (Tc)

  Контакт