Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Обломоки транзисторов TO-247-4 IC MOSFET SiC N-канала кремниевого карбида MSC015SMA070B4

  Номер детали:MSC015SMA070B4

  Пульсированное течение стока:350A

  Линейный коэффициент снижения номинальной мощности:3.03W/°C

  Контакт
• 

  Транзисторы 650V MOSFET ранга транзисторов IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7 автомобильные

  Номер детали:IPBE65R075CFD7AATMA1

  Rds на - сопротивлении Сток-источника:139 mOhms

  Vgs - напряжение тока Ворот-источника:- 20 V, + 20 V

  Контакт
• 

  Транзисторы 8-PowerTDFN MOSFET N-канала обломока BSZ036NE2LSATMA1 интегральной схемаы

  Номер детали:BSZ036NE2LSATMA1

  Максимальная рабочая температура:+ 150 c

  Pd - диссипация силы:37 w

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов TO-263-8 MOSFET N-канала IMBG65R030M1HXTMA1

  Номер детали:IMBG65R030M1HXTMA1

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:1643 pF @ 400 v

  Диссипация силы (Макс):234W (Tc)

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов 8-PowerSFN MOSFET N-канала IPT026N10N5ATMA1

  Номер детали:IPT026N10N5ATMA1

  ID (@ TC=25°C) - Макс:202 a

  ID (@25°C) - Макс:202 a

  Контакт
• 

  Тип транзисторы TO-263-8 канавы IMBF170R450M1XTMA1 1700V MOSFET кремниевого карбида

  Номер детали:IMBF170R450M1XTMA1

  Отсчет Pin:7 штырей

  Qg:11 nC

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов 8-PowerSFN MOSFET N-канала IPT60R022S7XTMA1

  Номер детали:IPT60R022S7XTMA1

  Пакет/случай:HSOF-8

  Rds на - сопротивлении Сток-источника:22 mOhms

  Контакт
• 

  Транзистор MOSFET N-канала обломока BSZ060NE2LSATMA1 8-PowerTDFN интегральной схемаы

  Номер детали:BSZ060NE2LSATMA1

  Subcategory:MOSFETs

  Ширина:3,3 мм

  Контакт
• 

  N-канал NVH4L160N120SC1 SiC приводит одиночные транзисторы в действие TO-247-4 1200V MOSFET

  Номер детали:NVH4L160N120SC1

  Минимальная рабочая температура:- 55°C

  Pd - диссипация силы:111 w

  Контакт
• 

  Транзисторы TW045N120C N-канала, транзисторы TO-247-3 MOSFET кремниевого карбида S1F

  Номер детали:TW045N120C, S1F

  Высокое напряжение:VDSS = 1200 V

  сопротивление Канал-к-случая термальное (Макс):0.824°C/W

  Контакт
• 

  Транзисторы 5-PowerSFN MOSFET транзисторов IAUA220N08S5N021 N-канала автомобильные

  Номер детали:IAUA220N08S5N021

  Id Vgs (th) (Макс) @:3.8V @ 120µA

  Тип FET:N-канал

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы IAUZ40N06S5L050ATMA1 N-канал Автомобильный MOSFET транзистор 5 мОм

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт