Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Чип интегральной схемы IPD80R1K2P7 одномощный монтаж транзистора MOSFET

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы IPAN60R280PFD7S N канал питания MOSFET транзистор 600В

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Электронные транзисторы MOSFET силы интегральных схема SCT3060ARC14 SiC

  Номер детали:SCT3060ARC14

  Напряжение тока привода:18V

  Vgs (Макс):+22V, -4V

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-263-7L MOSFET силы SiC N-канала транзисторов SCT3160KW7HRTL 1200V

  Номер детали:SCT3160KW7HRTL

  Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:5,6 v

  Время падения:9 ns

  Контакт
• 

  Транзисторы 262W MOSFET силы кремниевого карбида TO-247-3 N-канала SCT2080KEGC11

  Номер детали:SCT2080KEGC11

  Rds на - сопротивлении Сток-источника:80 mOhms

  Vgs - напряжение тока Ворот-источника:- 6 В, + 22 В

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET силы SiC N-канала обломока TO-247-4 интегральной схемаы SCT3080KRC14

  Номер детали:SCT3080KRC14

  Количество каналов:1 канал

  Rds на (Макс) @ id, Vgs:104mOhm @ 10A, 18V

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-3 MOSFET силы SiC N-канала обломока SCT4045DEC11 интегральной схемаы

  Номер детали:SCT4045DEC11

  Типичное время задержки включения:5,8 нс

  Время восхода:28 ns

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов SCT4045DW7TL TO-263-7L MOSFET силы SiC N-канала

  Номер детали:SCT4045DW7TL

  Сток - Напряжение пробоя истока:750V

  Ворота - течение утечки источника (Макс):100nA

  Контакт
• 

  Автомобильные транзисторы TO-247-3 MOSFET силы SiC N-канала ранга SCT4026DEHRC11

  Номер детали:SCT4026DEHRC11

  Id Vgs (th) (Макс) @:4,8 В при 15,4 мА

  Устанавливать тип:Через отверстие

  Контакт
• 

  Ранг TO-247-3 транзисторов SCT4062KEHRC11 MOSFET силы SiC N-канала автомобильная

  Номер детали:SCT4062KEHRC11

  Режим канала:Повышение

  Тип транзистора:1 N-канал

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET силы SiC N-канала обломока SCT4013DRC15 интегральной схемаы

  Номер детали:SCT4013DRC15

  Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше):18V

  Rds на (Макс) @ id, Vgs:16.9mOhm @ 58A, 18V

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов TO-247-3 MOSFET силы SiC N-канала SCT2450KEGC11

  Номер детали:SCT2450KEGC11

  Передний Transconductance - минута:1 s

  Тип FET:N-канал

  Контакт