Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Компьютерный микросхема IPB180N08S402 D2PAK 7pin Транзистор MOSFET

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы IRFS3006TRL7PP 60V одноканальный MOSFET транзистор

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Чип интегрированной схемы BSC070N10LS5 100В Мосфетный транзистор с логическим уровнем питания

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы IPB110P06LM D2PAK 60V P канал питания MOSFET транзистор

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы IPT030N12N3G Мощный транзистор MOSFET 120V в пакете TOLL

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы IPP65R090CFD7 650V N канал питания MOSFET транзистор TO220

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы SH63N65DM6AG Мосфет массив 650V 53A Мощность MOSFET транзисторы

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Транзисторы 600V 8PowerVDFN MOSFET силы обломока STL24N60M6 интегральной схемаы

  Номер детали:STL24N60M6

  Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs:23 nC @ 10 v

  RDS (дальше) максимальный:mΩ 209

  Контакт
• 

  Транзисторы 750V H2PAK-7 MOSFET силы обломока SCT011H75G3AG интегральной схемаы SIC

  Номер детали:SCT011H75G3AG

  Напряжение тока Сток-источника:750 v

  Стеките настоящее (непрерывный) на TC = °C 25:110A

  Контакт
• 

  обломок HU2PAK-7 интегральной схемаы транзисторов SCT018H65G3AG SIC MOSFET силы 55A

  Номер детали:SCT018H65G3AG

  Пакет:HU2PAK-7

  Напряжение тока Ворот-источника:-10V к 22V

  Контакт
• 

  Транзисторы FETs транзисторов TO-247 MOSFET силы канала IXTH24N50L n линейные одиночные

  Номер детали:IXTH24N50L

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:160 nC @ 20 v

  Диссипация силы (Макс):400W (Tc)

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFET силы кремниевого карбида обломока MSC040SMA120B интегральной схемаы

  номер детали:MSC040SMA120B

  Минимальная рабочая температура:- 55 С

  PD:311 w

  Контакт