Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  обломок TO-247-3 интегральной схемаы транзисторов IXYX110N120A4 1200V IGBT через отверстие

  Номер детали:IXYX110N120A4

  Условие испытаний:600V, 50A, 1.5Ohm, 15V

  Пакет прибора поставщика:TO-247 (IXTH)

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов 1200V TO-263-3 IXYA20N120B4HV одиночный IGBTs

  Номер детали:IXYA20N120B4HV

  Пакет/случай:TO-263HV-3

  Серия:GenX4™, XPT™

  Контакт
• 

  Электронный пакет транзисторов TO-247-3 интегральных схема IXYH85N120C4 IGBT

  Номер детали:IXYH85N120C4

  Вес:6 g

  Рабочая температура:-55°C | 175°C (TJ)

  Контакт
• 

  Транзисторы обломока IXYX110N120B4 1200V 340A 1360W IGBT интегральной схемаы

  Номер детали:IXYX110N120B4

  Максимальное напряжение тока излучателя ворот:- 20 V, 20 V

  Непрерывное течение сборника на 25 c:340 a

  Контакт
• 

  TO-247-3 через транзисторы отверстия IXYH55N120C4 1200V 140A 650W одиночные IGBT

  Номер детали:IXYH55N120C4

  Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс:1,2 kV

  Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера:2,5 В

  Контакт
• 

  Интерфейс IC обломока 48-TQFP TLE9241QUXUMA1 интегральной схемаы автомобильный

  Номер детали:TLE9241QUXUMA1

  Состояние продукта:Активный

  Применения:Автомобильный

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFETs N-канала обломока NVMFS5C612NWFT1G интегральной схемаы одиночные

  Номер детали:NVMFS5C612NWFT1G

  Непрерывное течение стока:225 a

  Напряжение тока Gate−to−Source:±20 v

  Контакт
• 

  Транзисторы N-канала обломока TO-247-4 интегральной схемаы MOSFET NTH4L027N65S3F силы

  Номер детали:NTH4L027N65S3F

  Устанавливать стиль:Через отверстие

  Полярность транзистора:N-канал

  Контакт
• 

  NTH4L015N065SC1 транзисторы кремниевого карбида MOSFET N-канала 650V 142A

  Номер детали:NTH4L015N065SC1

  Время обязанности:17 ns

  Время разряда:11 ns

  Контакт
• 

  Одиночные обломоки MOSFET 5-DFN IC силы транзисторов NTMFS005N10MCLT1G N-канала

  Номер детали:NTMFS005N10MCLT1G

  Id Vgs (th) (Макс) @:3V @ 192µA

  Диссипация силы (Макс):3W (животики), 125W (Tc)

  Контакт
• 

  Транзисторы 5-DFN N-канала силы MOSFET NVMFS5C670NWFT1G 60V 71A одиночные

  Номер детали:NVMFS5C670NWFT1G

  Напряжение тока привода:10V

  Rds дальше:7mOhm

  Контакт
• 

  Транзисторы канала ‐ n силы обломока интегральной схемаы транзисторов TO-220-3 NTP125N65S3H

  Номер детали:NTP125N65S3H

  Технология:MOSFET (металлическая окись)

  Rds на (Макс) @ id, Vgs:40mOhm @ 32.5A, 10V

  Контакт