Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов TO-247-3 транзисторов IXBX50N360HV одиночный IGBTs

  Номер детали:IXBX50N360HV

  Обратное время восстановления (trr):1,7 µs

  Рабочая температура:-55°C | 150°C (TJ)

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-3 обломока IXBH32N300 одиночные IGBTs интегральной схемаы через отверстие

  Номер детали:IXBH32N300

  Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):3000 v

  Настоящий - сборник (Ic) (Макс):80 А

  Контакт
• 

  Электронные интегральные схемаы IXYX50N170C 1700V 178A 1500W через транзисторы отверстия

  Номер детали:IXYX50N170C

  Настоящий - сборник (Ic) (Макс):178 a

  Настоящий - пульсированный сборник (Icm):460 a

  Контакт
• 

  Электронные транзисторы интегральных схема IXYA30N120A4HV 106A одиночные IGBT

  Номер детали:IXYA30N120A4HV

  Конфигурация:Одиночный

  Pd - диссипация силы:500 w

  Контакт
• 

  Одиночные транзисторы IXYX40N250CHV TO-247-3 IGBT через обломок интегральной схемаы отверстия

  Номер детали:IXYX40N250CHV

  Настоящий - пульсированный сборник (Icm):380 А

  Переключая энергия:11.7mJ (дальше), 6.9mJ ()

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы диафрагмы поля зрения TO-247-3 канавы транзисторов RGT40TS65DGC13 IGBT

  Номер детали:RGT40TS65DGC13

  Pd - диссипация силы:144 Вт

  Пропускной ток диода (TC = 25°C):35A

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-220-3 10kHz одиночное IGBTs обломока IXYP60N65A5 650V IGBT интегральной схемаы

  Номер детали:IXYP60N65A5

  Серия:XPT™, GenX5™

  Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:1.35V @ 15V, 36A

  Контакт
• 

  Транзисторы IGBTs поверхностного держателя обломока IXBT14N300HV интегральной схемаы одиночные

  Номер детали:IXBT14N300HV

  Pd - диссипация силы:200 w

  Технология:Si

  Контакт
• 

  650V обломок интегральной схемаы транзисторов TO-247-3 транзисторов IXXX140N65B4H1 одиночный IGBTs

  Номер детали:IXXX140N65B4H1

  Тип продукта:IGBT-транзисторы

  Pd - диссипация силы:1,2 кВт

  Контакт
• 

  Высокое напряжение обломока 2500V интегральной схемаы транзисторов IXYH16N250CV1HV TO-247-3 IGBTs

  Номер детали:IXYH16N250CV1HV

  Сопротивление входа ворот:5.8Ω

  Зажатая индуктивная нагрузка:1500V

  Контакт
• 

  Обломок держателя IXYA20N120A4HV TO-263-3 IC одиночных транзисторов IGBTs поверхностный

  Номер детали:IXYA20N120A4HV

  Вес блока:2,500 g

  Тип входного сигнала:Стандарт

  Контакт
• 

  транзисторы полупроводника 1200V 175A одиночные IGBTs IXYH55N120A4 дискретные

  Номер детали:IXYH55N120A4

  Тип IGBT:PT

  Состояние продукта:Активный

  Контакт