Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  IRFH5215TRPBF Чип интегральной схемы 150В StrongIRFETTM Мощные транзисторы MOSFET

  Номер части:IRFH5215TRPBF

  Полярность транзистора:N-канал

  Vds - пробивное напряжение Сток-источника:150 В

  Контакт
• 

  IPB60R045P7 Чип интегрированной схемы 600В N-канальный мощный MOSFET транзисторы

  Номер части:IPB60R045P7

  Операционная температура:-55 °C - 150 °C

  Пакет:ПГ-ТО263-3

  Контакт
• 

  IPA60R099P7 Комплексные микросхемы чип N-канала мощности MOSFET транзисторы PG-TO220-3

  Номер части:IPA60R099P7

  Операционная температура:-55 °C - 150 °C

  Пакет:PG-TO220-3

  Контакт
• 

  SPD06N80C3 Чип интегральной схемы 800В CoolMOS Power MOSFET Транзистор TO-252-3

  Номер части:SPD06N80C3

  Vds - Напряжение пробоя сток-исток::800 В

  Id — непрерывный ток стока::6 А

  Контакт
• 

  STW35N60DM2 Чип интегральной схемы 600В 28А Транзисторы N-канального питания MOSFET

  Номер части:STW35N60DM2

  Полярность транзистора:N-канал

  Vds - пробивное напряжение Сток-источника:600 В

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы IPT60R035CFD7 109nC 351W Мощность MOSFET транзистор HSOF8

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  BSC010N04LST интегральные микросхемы OptiMOSTM 5 N-канальный мощный MOSFET транзисторы TDSON-8

  Номер части:BSC010N04LST

  Полярность транзистора::N-канал

  Количество каналов::1 канал

  Контакт
• 

  IPW60R120P7 Чип интегральной схемы 600В N-канальный мощный MOSFET транзисторы TO-247-3

  Номер части:ИПВ60Р120П7

  Полярность транзистора::N-канал

  Количество каналов::1 канал

  Контакт
• 

  STGB19NC60KDT4 интегральный микросхема 20A 600V короткое замыкание прочные IGBT транзисторы

  Номер части:STGB19NC60KDT4

  Конфигурация::Одинокий

  Напряжение коллектора-излучателя VCEO Max::600 В

  Контакт
• 

  IKA15N60T микросхема 600V 15A IGBT транзисторы TO-220-3 пакет

  Номер части:ИКА15Н60Т

  Конфигурация::Одинокий

  Напряжение коллектора-излучателя VCEO Max::600 В

  Контакт
• 

  IPC100N04S5-1R9 Чип интегральной схемы 40V OptiMOSTM-5 Транзисторы MOSFET для автомобилей

  Номер части:ИПК100Н04С5-1Р9

  Технологии:Si

  Напряжение отхода к источнику (Vdss):40 В

  Контакт
• 

  IKW40N65H5 Чип интегральной схемы высокой скорости 650V 40A IGBT транзисторы TO-247-3

  Номер части:IKW40N65H5

  Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):650 v

  Ток - коллектор (Ic) (макс.):74 А

  Контакт