Количество мин заказа:10
Цена:Contact for Sample
Упаковывая детали:Стандартный пакет
Количество мин заказа:10
Цена:Contact for Sample
Упаковывая детали:Стандартный пакет
Количество мин заказа:10
Цена:Contact for Sample
Упаковывая детали:Стандартный пакет
Количество мин заказа:10
Цена:Contact for Sample
Упаковывая детали:Стандартный пакет
Количество мин заказа:10
Цена:Contact for Sample
Упаковывая детали:Стандартный пакет
Количество мин заказа:10
Цена:Contact for Sample
Упаковывая детали:Стандартный пакет
Количество мин заказа:10
Цена:Contact for Sample
Упаковывая детали:Стандартный пакет
Номер части:IKW50N65WR5
Единичная масса:6.047 г
течение утечки Ворот-излучателя:nA 100
Номер части:IXTP160N10T
Тип FET:N-канал
Технологии:MOSFET (металлическая окись)
Номер части:BSC026N08NS5
Технологии:Si
Полярность транзистора:N-канал
Номер части:ИПБ100Н04С4-Х2
Полярность транзистора:N-канал
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:40 В
Номер части:IPDD60R050G7
Полярность транзистора:N-канал
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:600 В