Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  магнитный обломок интегральной схемаы датчика A31315LOLATR-XZ-S-AR-10 8-SOIC эффекта Холла 3D

  Номер детали:A31315LOLATR-XZ-S-AR-10

  Стиль прекращения:Крыло чайки

  Рабочий диапазон поставки:4,5 до 5,5 v

  Контакт
• 

  Датчик 14-TSSOP эффекта Холла обломока A31315LLUBTR-XZ-S-AR-10 интегральной схемаы линейный

  Номер детали:A31315LLUBTR-XZ-S-AR-10

  Напряжение тока - поставка:4.5V | 5.5V

  Сопротивление:4,23 kOhms

  Контакт
• 

  Эффект Холла двухнаправленное 8-SOIC IC датчика обломока TMCS1108A4BQDRQ1 IC настоящий

  Номер детали:TMCS1108A4BQDRQ1

  Состояние продукта:Активный

  Для измерять:AC/DC

  Контакт
• 

  8-SOIC датчик IC поверхностного эффекта Холла изоляции держателя TMCS1107A3UQDRQ1 настоящий

  Номер детали:TMCS1107A3UQDRQ1

  Настоящая оценка:- 2,25 a до 21,5 a

  Работая подача напряжения:5 v

  Контакт
• 

  Датчики IC 8-SOIC течения канала обломока TMCS1107A4UQDRQ1 1 интегральной схемаы

  Номер детали:TMCS1107A4UQDRQ1

  Рабочая температура:-40°C ~ 125°C (ТА)

  Линеарности:±0.5%

  Контакт
• 

  Датчик электронного эффекта Холла интегральных схема TMCS1107A3BQDRQ1 настоящий

  Номер детали:TMCS1107A3BQDRQ1

  Напряжение тока - поставка:3V | 5.5V

  Поляризация:Двухнаправленный

  Контакт
• 

  Держатель IC настоящего датчика эффекта Холла канала TMCS1101A2UQDRQ1 1 поверхностный

  Номер детали:TMCS1101A2UQDRQ1

  Линеарности:±0.05%

  Выход:Ratiometric, напряжение тока

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов SCT3060AW7TL MOSFETs N-канала одиночный

  Номер детали:SCT3060AW7TL

  Стеките - напряжение тока источника:650 v

  Непрерывное течение стока:38 a

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFETs N-канала обломока SCT3160KW7TL 17A интегральной схемаы одиночные

  Номер детали:SCT3160KW7TL

  Устанавливать тип:Поверхностный держатель

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:42 nC @ 18 v

  Контакт
• 

  MOSFET TO-247-3 силы SiC N-канала ранга транзисторов SCT2160KEHRC11 автомобильный

  Номер детали:SCT2160KEHRC11

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:62 nC @ 18 v

  Vgs (Макс):+22V, -6V

  Контакт
• 

  Транзисторы держателя обломока SCT3030AW7TL TO-263-7 интегральной схемаы поверхностные

  Номер детали:SCT3030AW7TL

  Тип FET:N-канал

  Состояние продукта:Активный

  Контакт
• 

  MOSFET силы N-канала 750V 105A SCT4013DEC11 SiC до отверстие TO-247N

  Номер детали:SCT4013DEC11

  Технология:SiCFET (кремниевый карбид)

  Стеките к напряжению тока источника (Vdss):750 v

  Контакт