Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Обломок интегральной схемаы MOSFET TO-268-3 транзисторов MSC180SMA120S SiC N-канала

  Номер детали:MSC180SMA120S

  Vgs (Макс):+23V, -10V

  Rds на (Макс) @ id, Vgs:225mOhm @ 8A, 20V

  Контакт
• 

  1200V модуль SOT-227-4 MOSFET силы N-канала кремниевого карбида MSC017SMA120J

  Номер детали:MSC017SMA120J

  Минимальная рабочая температура:- 55 c

  Pd - диссипация силы:278 w

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-268-3 MOSFETs FETs обломока MSC017SMA120S интегральной схемаы одиночные

  Номер детали:MSC017SMA120S

  Диссипация силы (Макс):357W (Tc)

  Пакет прибора поставщика:D3PAK

  Контакт
• 

  Держатель транзисторов N-канала обломока MSC040SMA120S интегральной схемаы поверхностный

  Номер детали:MSC040SMA120S

  Рабочая температура:-55°C | 175°C (TJ)

  ID - Непрерывное течение стока:64 a

  Контакт
• 

  MOSFET TO-247-3 силы N-канала кремниевого карбида обломока MSC017SMA120B интегральной схемаы

  Номер детали:MSC017SMA120B

  Устанавливать тип:Через отверстие

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:5280 pF @ 1000 v

  Контакт
• 

  Транзисторы 1200 держателя SOT-227 шасси N-канала v 53A 208W MSC040SMA120J

  Номер детали:MSC040SMA120J

  Rds на (Макс) @ id, Vgs:50mOhm @ 40A, 20V

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:pF 1990 @ 1000 v

  Контакт
• 

  обломок TO-268-3 интегральной схемаы MOSFET MSC750SMA170S силы N-канала 1700V

  номер детали:MSC750SMA170S

  Количество каналов:1 канал

  Rds на - сопротивлении Сток-источника:750 мОм

  Контакт
• 

  Транзисторы TO-247-3 обломока MSC080SMA120B интегральной схемаы через отверстие

  Номер детали:MSC080SMA120B

  Пробивное напряжение Сток-источника:1,2 kV

  Конфигурация:Одиночный

  Контакт
• 

  1700V кремниевый карбид транзисторов TO-247-4 N-канала транзисторов MSC750SMA170B4

  Номер детали:MSC750SMA170B4

  Технология:SiCFET (кремниевый карбид)

  Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше):20V

  Контакт
• 

  ICs откалывают транзисторы 1200 держателя N-канала v 35A 182W MSC080SMA120S поверхностные

  Номер детали:MSC080SMA120S

  Rds дальше:100 mOhms

  Минимальная рабочая температура:- 55 С

  Контакт
• 

  Транзисторы N-канала обломока 700V SiCFET интегральной схемаы TO-247-3 MSC090SMA070B

  номер детали:MSC090SMA070B

  Полярность транзистора:N-канал

  Qg - обязанность ворот:38 nC

  Контакт
• 

  Транзисторы N-канала обломока TO-268-3 интегральной схемаы транзисторов MSC035SMA070S

  Номер детали:MSC035SMA070S

  Категория продукта:MOSFET

  Qg - обязанность ворот:5 a

  Контакт