Китай Автомобильные модули IGBT

• 

  Mosfet модуля силы MSCSM120HM50CT3AG одевает дискретные транзисторы полупроводника

  Номер детали:MSCSM120HM50CT3AG

  Обратное напряжение:1,2 кВ

  Напряжение тока Ворот-источника:- 10 В, + 25 В

  Контакт
• 

  Автомобильный модуль силы массива 1200V Mosfet модулей MSCSM120HM31CT3AG IGBT

  Номер детали:MSCSM120HM31CT3AG

  Энергия включения:20.3mJ

  ISD:270 a

  Контакт
• 

  модуль силы 988W MOSFET кремниевого карбида MSCSM70DUM07T3AG общедоступного источника 2N-Channel

  Номер детали:MSCSM70DUM07T3AG

  Сила - Макс:988W (Tc)

  Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (ТДж)

  Контакт
• 

  Автомобильные модули кремниевого карбида N-канала IGBT модулей MSC100SM70JCU3 IGBT 365W

  Номер детали:MSC100SM70JCU3

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:215 nC @ 20 v

  Vf - пропускное напряжение:1,5 v

  Контакт
• 

  модули MOSFET силы модулей MSCSM120SKM11CT3AG 254A 4000Vrms автомобильные IGBT

  Номер детали:MSCSM120SKM11CT3AG

  Устанавливать тип:Крепление шасси

  Напряжение тока - изоляция:4000Vrms

  Контакт
• 

  Mosfet одевает модули модуля силы MSCSM170AM058CT6LIAG SiC автомобильные IGBT

  Номер детали:MSCSM170AM058CT6LIAG

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:19800pF @ 1000V

  Технология:НИЦ

  Контакт
• 

  Автомобильные транзисторы SiC ноги участка модулей MSCSM170AM039CT6AG 523A IGBT

  Номер детали:MSCSM170AM039CT6AG

  Rds дальше:5mOhm

  Пульсированное течение стока:1000A

  Контакт
• 

  Дискретные транзисторы держателя шасси модуля MSCSM170AM058CD3AG полупроводника

  Номер детали:MSCSM170AM058CD3AG

  Устанавливать тип:Крепление шасси

  Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (ТДж)

  Контакт
• 

  Автомобильный модуль силы MOSFET SiC ноги участка модулей MSCSM170AM15CT3AG IGBT

  Номер детали:MSCSM170AM15CT3AG

  Сток-источник на сопротивлении:mΩ 15

  Диссипация силы:862W

  Контакт
• 

  Транзисторы полупроводника массива 1.7kV 124A Mosfet MSCSM170AM23CT1AG дискретные

  Номер детали:MSCSM170AM23CT1AG

  Конфигурация:Канал 2 n (нога участка)

  VGS:20 v

  Контакт
• 

  Модуль силы MOSFET модулей 1200V SiC N-канала MSC40SM120JCU3 автомобильный IGBT

  Номер детали:MSC40SM120JCU3

  Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C:55A (Tc)

  Id Vgs (th) (Макс) @:2.7V @ 1mA

  Контакт
• 

  Модули MSC130SM120JCU3 Силовой модуль полностью из карбида кремния 1200 В, 173 А, N-канальный

  Номер детали:MSC130SM120JCU3

  Продукт:Модули кремниевого карбида IGBT

  Vf - пропускное напряжение:1,5 v

  Контакт