Китай Автомобильные модули IGBT

• 

  Автомобильные транзисторы держателя шасси модулей MSCSM170AM45CT1AG 319W IGBT

  Номер детали:MSCSM170AM45CT1AG

  VDSS:1700V

  Настоящий - непрерывный сток:64A (Tc)

  Контакт
• 

  Автомобильный модуль силы 4000Vrms MOSFET модулей MSCSM120DAM11CT3AG SiC IGBT

  Номер детали:MSCSM120DAM11CT3AG

  Vf - пропускное напряжение:1,5 v на 180 a

  Время падения:25 нс

  Контакт
• 

  Держатель SP3F шасси модулей 700V 241A 690W полупроводника MSCSM70AM10CT3AG дискретный

  Номер детали:MSCSM70AM10CT3AG

  Категория продукта:Дискретные модули полупроводника

  Vf - пропускное напряжение:1,5 v на 100 a

  Контакт
• 

  кремниевый карбид SOT-227-4 N-канала модулей MSC130SM120JCU2 1200V автомобильный IGBT

  Номер детали:MSC130SM120JCU2

  Тип:Тяпка поддержки

  Vgs - напряжение тока Ворот-источника:- 10 В, + 25 В

  Контакт
• 

  Автомобильные IGBT-модули MSC100SM70JCU2 Повышающий прерыватель SiC MOSFET Power Module SOT-227-4

  Номер детали:MSC100SM70JCU2

  Тип FET:N-канал

  Rds на (Макс) @ id, Vgs:19mOhm @ 40A, 20V

  Контакт
• 

  Автомобильные транзисторы модуля силы кремниевого карбида модулей MSCSM70AM025CD3AG IGBT

  Номер детали:MSCSM70AM025CD3AG

  VF:1,5 v

  вр:700 v

  Контакт
• 

  Дискретные транзисторы кремниевого карбида модулей MSCSM120AM50CT1AG полупроводника

  Номер детали:MSCSM120AM50CT1AG

  Технология:НИЦ

  Тип:Нога участка

  Контакт
• 

  Трехуровневый модуль силы 1700V MOSFET инвертора MSCSM170TLM23C3AG SiC 4N-Channel

  Номер детали:MSCSM170TLM23C3AG

  Пакет прибора поставщика:СП3Ф

  Пакет/случай:Модуль

  Контакт
• 

  Автомобильные IGBT-модули MSCSM120AM11CT3AG 1.2kV 254A 1.067kW MOSFET Транзисторы

  Номер детали:MSCSM120AM11CT3AG

  Обратное время восстановления:90 нс

  Сопротивление Соединени-к-случая термальное:0.126°C/W

  Контакт
• 

  модули 700V MOSFETs MSCSM70TLM10C3AG автомобильные IGBT кремниевого карбида 4N-Channel

  Номер детали:MSCSM70TLM10C3AG

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:430nC @ 20V

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:9000pF @ 700V

  Контакт
• 

  Автомобильный модуль 1200V Schottky кремниевого карбида модулей MSCDC100A120D1PAG IGBT

  Номер детали:МСКДК100А120Д1ПАГ

  Конфигурация диода:1 пара последовательного соединения

  Общий емкостной заряд VR = 600В:448 нКл (тип.)

  Контакт
• 

  Автомобильные модули полупроводника модулей MSCSM120TAM16CTPAG 728W IGBT дискретные

  Номер детали:MSCSM120TAM16CTPAG

  течение утечки Ворот-источника:1μA

  Напряжение тока порога ворот:2.8V

  Контакт