Китай Автомобильные модули IGBT

• 

  Mosfet транзисторов MSCSM120HM063CAG одевает полный модуль силы SiC моста

  Номер детали:MSCSM120HM063CAG

  Пульсированное течение стока:900A

  обязанность Ворот-источника:232nC

  Контакт
• 

  Массив Mosfet модулей 1700V 4N-Channel модулей MSCSM170HM087CAG автомобильный IGBT

  Номер детали:MSCSM170HM087CAG

  Технология:Кремниевый карбид (SiC)

  Конфигурация:N-канал 4 (полный мост)

  Контакт
• 

  Автомобильные транзисторы массива Mosfet модулей MSCSM70HM038CAG IGBT привинчивают держатели

  Номер детали:MSCSM70HM038CAG

  Максимальная рабочая температура:+ 125 c

  Тип:Полный мост

  Контакт
• 

  Автомобильный MOSFET общедоступного источника модулей MSCSM170DUM039AG 2N-Channel IGBT одевает

  Номер детали:MSCSM170DUM039AG

  Пакет/случай:Модуль

  Напряжение тока Сток-источника (Макс):1700V

  Контакт
• 

  Дискретные модули транзисторов MSCSM70HM05CAG 700V автомобильные IGBT полупроводника

  Номер детали:MSCSM70HM05CAG

  VF:1,5 v

  Технология:НИЦ

  Контакт
• 

  Автомобильный держатель шасси транзисторов модуля силы модулей MSCSM70HM19CT3AG IGBT

  Номер детали:MSCSM70HM19CT3AG

  Сила - Макс:365W (Tc)

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:4500pF @ 700V

  Контакт
• 

  Двойной общий источник MSCSM170DUM11T3AG Автомобильные IGBT-модули 240A 1700V MOSFET

  Номер детали:MSCSM170DUM11T3AG

  Пакет прибора поставщика:СП3Ф

  Рабочая температура (минута):-40°C (TJ)

  Контакт
• 

  Автомобильный модуль силы 700V MOSFET модулей MSCSM70DUM017AG 2N-Channel SiC IGBT

  Номер детали:MSCSM70DUM017AG

  Конфигурация:Общедоступный источник 2 N-каналов (двойной)

  Стеките к напряжению тока источника (Vdss):700V

  Контакт
• 

  Mosfet модуля силы MSCSM120HM50CT3AG одевает дискретные транзисторы полупроводника

  Номер детали:MSCSM120HM50CT3AG

  Обратное напряжение:1,2 кВ

  Напряжение тока Ворот-источника:- 10 В, + 25 В

  Контакт
• 

  Автомобильный модуль силы массива 1200V Mosfet модулей MSCSM120HM31CT3AG IGBT

  Номер детали:MSCSM120HM31CT3AG

  Энергия включения:20.3mJ

  ISD:270 a

  Контакт
• 

  модуль силы 988W MOSFET кремниевого карбида MSCSM70DUM07T3AG общедоступного источника 2N-Channel

  Номер детали:MSCSM70DUM07T3AG

  Сила - Макс:988W (Tc)

  Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (ТДж)

  Контакт
• 

  Автомобильные модули кремниевого карбида N-канала IGBT модулей MSC100SM70JCU3 IGBT 365W

  Номер детали:MSC100SM70JCU3

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:215 nC @ 20 v

  Vf - пропускное напряжение:1,5 v

  Контакт